論文針對由壓磁材料和壓電半導(dǎo)體材料組成的無限長復(fù)合圓柱殼結(jié)構(gòu),理論研究了其在徑向恒磁場作用下結(jié)構(gòu)內(nèi)的多場耦合力學(xué)響應(yīng)問題.為解析求解方便,文中分別采用單向耦合法和線性全耦合法,導(dǎo)出復(fù)合圓柱殼內(nèi)位移場、電場、載流子等物理量的解析表達式.利用導(dǎo)出的解析表達式,數(shù)值分析了磁場大小和半導(dǎo)體層厚度比對結(jié)構(gòu)內(nèi)電勢、電場和載流子的影響.計算結(jié)果表明:磁場和厚度比均可用來有效調(diào)控半導(dǎo)體層內(nèi)的電學(xué)量,復(fù)合圓柱殼結(jié)構(gòu)的厚度比有一個最優(yōu)區(qū)間.

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 壓磁-壓電半導(dǎo)體的基本方程
2 磁場作用下壓磁-壓電半導(dǎo)體復(fù)合圓柱殼的耦合響應(yīng)分析
    2.1 單向耦合法
    2.2 線性全耦合法
3 數(shù)值算例
4 結(jié)論



本文編號：3867470