采用激光化學(xué)氣相沉積法在Al₂O₃基底上以49μm·h^-1的沉積速率高速制備了c-軸取向的YBa₂Cu₃O_7-δ薄膜,其中,激光功率為133 W,沉積溫度1103 K,腔體壓強(qiáng)800 Pa。研究了前驅(qū)體蒸發(fā)溫度及薄膜退火溫度對(duì)薄膜電學(xué)性能的影響。研究表明,Ba、Cu、Y前驅(qū)體加熱溫度分別為603、478、459 K時(shí)制備的薄膜在經(jīng)813 K高溫?zé)崽幚?2 h后,臨界溫度可達(dá)83 K。

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【文章目錄】：
1 實(shí) 驗(yàn)
2 分析與討論
3 結(jié) 論



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