超導(dǎo)和重費(fèi)米子材料是當(dāng)前凝聚態(tài)物理研究的重要課題,探索超導(dǎo)的能隙,研究重費(fèi)米子材料中f電子和巡游電子間的雜化對相關(guān)材料性質(zhì)的理解至關(guān)重要。通過點(diǎn)接觸譜測量,本論文討論了幾類超導(dǎo)材料的能隙結(jié)構(gòu),包括β-PdBi2,(PbSe)1.12(TaSe2)和 Ca3Ir4Sn13,同時(shí)研究了 重費(fèi)米子材料 Ce2PdIn8,Ce3PdIn11和近藤半導(dǎo)體CeRu2Al10中f電子的行為。(1)β-PdBi2超導(dǎo)體具有拓?fù)浔砻鎽B(tài),因此可能對應(yīng)拓?fù)涑瑢?dǎo)。通過點(diǎn)接觸譜研究,我們發(fā)現(xiàn)β-PdBi2的點(diǎn)接觸譜電導(dǎo)曲線不存在本征的零偏壓峰,而是經(jīng)典的雙峰結(jié)構(gòu)。BTK模型擬合表明β-PdBi2的超導(dǎo)態(tài)具有一個(gè)完全打開的能隙,且隨溫度或磁場的變化符合BCS的行為。盡管如此,不能完全排除β-PdBi2的拓?fù)浔砻鎽B(tài)是拓?fù)涑瑢?dǎo)的可能。(2)Cl(Br)摻雜的層錯(cuò)超導(dǎo)化合物(PbSe)1.12(TaSe2)具有天然的異質(zhì)結(jié)構(gòu),是單層PbSe和TaSe2的交互堆疊。理論計(jì)算表明單層PbSe是拓?fù)渚Ц窠^緣體,因此Cl(Br)摻雜的(PbSe)1.12(TaSe2)可能是拓?fù)涑瑢?dǎo)體。然而,我們的點(diǎn)接觸譜電導(dǎo)曲線具有經(jīng)典的雙峰...

【文章頁數(shù)】：153 頁

【學(xué)位級別】：博士

【文章目錄】：
致謝
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 超導(dǎo)的發(fā)展背景
    1.2 超導(dǎo)微觀機(jī)理
    1.3 安德烈夫反射
        1.3.1 安德列夫反射
        1.3.2 近鄰效應(yīng)
        1.3.3 安德列夫束縛態(tài)
        1.3.4 其它安德烈夫反射
    1.4 Blonder-Tinkham-Klapwijk理論
    1.5 拓?fù)浜屯負(fù)涑瑢?dǎo)
        1.5.1 拓?fù)湫?br>        1.5.2 Majorana費(fèi)米子
        1.5.3 一維無自旋p波超導(dǎo)中Majorana費(fèi)米子
        1.5.4 近鄰效應(yīng)誘導(dǎo)的Majorana費(fèi)米子
        1.5.5 一維半導(dǎo)體線中的Majorana費(fèi)米子
        1.5.6 二維無自旋p_x+ip_y超導(dǎo)中的Majorana費(fèi)米子
        1.5.7 Majorana零模的隧穿譜
    1.6 拓?fù)涑瑢?dǎo)的實(shí)驗(yàn)研究進(jìn)展
    1.7 近藤晶格系統(tǒng)
        1.7.1 重費(fèi)米子材料
        1.7.2 近藤絕緣體/半導(dǎo)體
    1.8 近藤晶格中的電子協(xié)同隧穿效應(yīng)
2 實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 極端實(shí)驗(yàn)平臺
    2.2 點(diǎn)接觸譜實(shí)驗(yàn)技術(shù)
        2.2.1 機(jī)械(硬)點(diǎn)接觸譜
        2.2.2 軟點(diǎn)接觸譜實(shí)驗(yàn)方法
    2.3 接觸機(jī)制
    2.4 樣品表面的處理
3 可能拓?fù)涑瑢?dǎo)材料β-PdBi₂的點(diǎn)接觸譜研究
    3.1 引言
    3.2 樣品的制備和表征
    3.3 實(shí)驗(yàn)方法
    3.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論
    3.5 本章小結(jié)
4 可能拓?fù)涑瑢?dǎo)材料(PbSe)_1.12(TaSe₂)的點(diǎn)接觸譜研究
    4.1 引言
    4.2 樣品制備和表征
    4.3 實(shí)驗(yàn)方法
    4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和討論
    4.5 本章小結(jié)
5 多晶超導(dǎo)材料Ca₃Ir₄Sn₁₃的點(diǎn)接觸譜研究
    5.1 引言
    5.2 樣品的準(zhǔn)備及表征
    5.3 實(shí)驗(yàn)方法
    5.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論
    5.5 本章小結(jié)
6 重費(fèi)米子材料Ce₂PdIn₈和Ce₃PdIn₁₁的點(diǎn)接觸譜研究
    6.1 引言
    6.2 樣品制備及表征
    6.3 實(shí)驗(yàn)方法
    6.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
    6.5 本章小結(jié)
7 近藤半導(dǎo)體CeRu₂Al₁₀的點(diǎn)接觸譜研究
    7.1 引言
    7.2 樣品表征及實(shí)驗(yàn)方法
    7.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論
    7.4 本章小結(jié)
8 總結(jié)和展望
參考文獻(xiàn)
攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表論文



本文編號：3858157