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Ag/ZnO納米復(fù)合結(jié)構(gòu)發(fā)光特性及量子點(diǎn)發(fā)光二極管

發(fā)布時(shí)間:2023-10-22 13:30
  量子點(diǎn)在消費(fèi)電子設(shè)備中有著廣泛應(yīng)用。因而對(duì)量子點(diǎn)技術(shù)的研發(fā)非常活躍,常見(jiàn)諸于大眾媒體。這主要取決于量子點(diǎn)的優(yōu)良特性:激發(fā)光譜寬,發(fā)射光譜窄且對(duì)稱,顏色可調(diào),光化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,熒光壽命長(zhǎng)等;诹孔狱c(diǎn)的優(yōu)點(diǎn),很多現(xiàn)代發(fā)光材料和器件都由半導(dǎo)體量子點(diǎn)構(gòu)成,這使得量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)成為當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。本文分別針對(duì)光致發(fā)光和電致發(fā)光,對(duì)量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。光致發(fā)光的研究:利用化學(xué)合成的方法分別合成水相性Ag納米粒子和ZnO量子點(diǎn)。Ag納米顆粒的尺寸隨著反應(yīng)時(shí)間的增長(zhǎng)而變大,形狀也隨著時(shí)間的增加由球形逐漸變?yōu)槿切。ZnO量子點(diǎn)隨著生長(zhǎng)溫度的變化,尺寸也發(fā)生相應(yīng)的變化,但尺寸變化幅度不大。依次把Ag納米顆粒和不同尺寸的ZnO量子點(diǎn)旋涂在硅片上,形成Ag-ZnO納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。進(jìn)行光學(xué)特性的研究,結(jié)果表明這些Ag-ZnO復(fù)合結(jié)構(gòu)的紫外熒光強(qiáng)度比單純的ZnO量子點(diǎn)的紫外熒光強(qiáng)度有不同程度的增強(qiáng),而可見(jiàn)熒光的強(qiáng)度均被明顯抑制。這是由于Ag-ZnO納米復(fù)合結(jié)構(gòu)中發(fā)生了表面等離子體共振效應(yīng)和能量轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象。電致發(fā)光的研究:與以往制備發(fā)光二極(LED)有所不同,本文選擇ZnO QDs作為電子傳輸層,采用IT...

【文章頁(yè)數(shù)】:56 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
致謝
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 量子點(diǎn)的特性
        1.2.1 量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),材料性質(zhì)
        1.2.2 量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)
    1.3 量子點(diǎn)的應(yīng)用前景
        1.3.1 生物探測(cè)及細(xì)胞成像
        1.3.2 發(fā)光二極管(LED)
        1.3.3 量子點(diǎn)電視
        1.3.4 量子點(diǎn)激光器
    1.4 金屬表面等離子的耦合
        1.4.1 金屬表面等離激元
        1.4.2 熒光材料與金屬表面等離子的耦合機(jī)制
    1.5 本文的主要研究?jī)?nèi)容和章節(jié)安排
第二章 ZnO量子點(diǎn)的制備及表征
    2.1 實(shí)驗(yàn)裝置及測(cè)試儀器
    2.2 量子點(diǎn)的制備
        2.2.1 量子點(diǎn)的制備方法
        2.2.2 ZnO量子點(diǎn)的制備步驟
    2.3 量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)特性表征
        2.3.1 ZnO量子點(diǎn)表征
        2.3.2 ZnO量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜
        2.3.3 紫外-可見(jiàn)吸收光譜
    2.4 本章總結(jié)
第三章 Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)的熒光增強(qiáng)與淬滅
    3.1 Ag顆粒的制備及表征
        3.1.1 Ag顆粒的制備步驟
        3.1.2 Ag顆粒的TEM圖
    3.2 Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)制備
    3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析
    3.4 本章總結(jié)
第四章 QLEDs器件制備及表征
    4.1 QLEDs器件使用材料介紹
        4.1.1 CuInZnS量子點(diǎn)的制備
        4.1.2 CdZnS/ZnS核-殼量子點(diǎn)的制備
        4.1.3 量子點(diǎn)的表征
    4.2 QLEDs器件結(jié)構(gòu)
    4.3 QLEDs器件的制備工藝步驟
    4.4 器件的測(cè)試和結(jié)果分析
    4.5 本章總結(jié)
第五章 工作總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
碩士期間研究成果



本文編號(hào):3856612

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