近幾年來,有機-無機雜化鈣鈦礦材料作為一種新型半導體材料具有溶液加工性、低載流子陷阱密度、高吸收系數(shù)以及長距離載流子擴散長度等優(yōu)越性,廣泛應用在太陽能電池、激光、高增益光電探測器以及發(fā)光二極管等領域。本論文主要研究有機-無機雜化鈣鈦礦發(fā)光二極管。由于鈣鈦礦結晶速度很快,制備連續(xù)平整的發(fā)光薄膜是實現(xiàn)高效率發(fā)光器件的關鍵問題。目前主要采用快速結晶,調節(jié)前驅體中有機成分與無機成分的比率,溶劑調控以及形成聚合物:鈣鈦礦復合材料等方法來控制薄膜的生長。在上述方法中,形成聚合物:鈣鈦礦復合材料作為調節(jié)鈣鈦礦表面形貌的一種簡便,通用和可靠方法被廣泛使用,另外,聚合物添加劑還可以提高鈣鈦礦材料的抗?jié)裥院蜋C械特性。本文中我們以聚氧化乙烯(PEO)作為聚合物添加劑,通過調節(jié)CH₃NH₃Br與PbBr₂之間的摩爾比來改善樣品的表面形貌,提高發(fā)光器件的性能。進一步研究聚合物:鈣鈦礦復合材料中PEO的含量對薄膜性質的影響。在此基礎上研究聚乙烯晴(PAN)作為聚合物添加劑的復合材料的性質,分析不同聚合物添加劑對復合薄膜形貌,結構,光物理和電致發(fā)光性...

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 新型有機無機雜化鈣鈦礦的基本性質
        1.1.1 鈣鈦礦材料的基本簡介
        1.1.2 鈣鈦礦材料的結構與性質
        1.1.3 鈣鈦礦薄膜的制備方法
    1.2 鈣鈦礦電致發(fā)光二極管(LED)
        1.2.1 鈣鈦礦電致發(fā)光二極管的工作原理
        1.2.2 鈣鈦礦電致發(fā)光二極管的發(fā)展歷程
        1.2.3 鈣鈦礦材料在其它方面的研究
    1.3 鈣鈦礦發(fā)光二極管的器件結構及主要參數(shù)
        1.3.1 鈣鈦礦發(fā)光二極管的器件結構
        1.3.2 鈣鈦礦發(fā)光二極管的主要參數(shù)
    1.4 本文的研究意義和主要內容
第二章 鈣鈦礦電致發(fā)光器件的制備工藝與測試表征
    2.1 鈣鈦礦電致發(fā)光器件的制備工藝
        2.1.1 玻璃基片的清潔
        2.1.2 器件功能層的制備
    2.2 鈣鈦礦電致發(fā)光器件性能的表征
        2.2.1 掃描電子顯微鏡(SEM)的測量
        2.2.2 X射線衍射(XRD)的測量
        2.2.3 電致發(fā)光光譜(EL)與光致發(fā)光光譜(PL)的測量
        2.2.4 光電特性(I-V-B)的測量
        2.2.5 紅外吸收光譜(IR)的測量
第三章 不同的CH₃NH₃Br：PbBr₂比例對PEO:CH₃NH₃PbBr₃薄膜的影響
    3.1 引言
    3.2 器件制備與測量
    3.3 實驗結果分析與討論
        3.3.1 通過SEM分析不同PEO:CH₃NH₃PbBr₃比例對薄膜的影響
        3.3.2 通過XRD分析成分比例對器件性能的影響
        3.3.3 不同PEO:CH₃NH₃PbBr₃比例對器件性能的影響
    3.4 本章小結
第四章 不同的PEO:CH₃NH₃PbBr₃比例對PEO:CH₃NH₃PbBr₃薄膜的影響
    4.1 引言
    4.2 器件制備與測量
    4.3 實驗結果分析與討論
        4.3.1 通過SEM分析不同PEO:CH₃NH₃PbBr₃比例對薄膜的影響
        4.3.2 通過XRD分析成分比例對器件性能的影響
        4.3.3 不同PEO:CH₃NH₃PbBr₃比例對器件性能的影響
    4.4 本章小結
第五章 聚合物添加劑對鈣鈦礦發(fā)光器件的影響
    5.1 引言
    5.2 器件制備與測量
    5.3 實驗結果分析與討論
        5.3.1 通過SEM分析PAN(PEO):CH₃NH₃PbBr₃對薄膜的影響
        5.3.2 通過XRD分析PAN(PEO):CH₃NH₃PbBr₃對器件性能的影響
        5.3.3 對紅外吸收光譜及PL的分析
        5.3.4 PAN(PEO):CH₃NH₃PbBr₃器件性能的分析
        5.3.5 不同添加劑產(chǎn)生性能的原因分析
    5.4 本章小結
第六章 總結與展望
參考文獻
致謝
研究生期間學術論文發(fā)表情況



本文編號：3850280