提出一種多缺陷組合嵌入VO₂薄膜結(jié)構(gòu)的可調(diào)太赫茲吸收器,它由上表面金屬圖案層、基體和底層金屬板三層結(jié)構(gòu)組成,在上表面和基體之間嵌入二氧化釩介質(zhì).計(jì)算結(jié)果表明在f=4.08 THz和f=4.33 THz兩頻點(diǎn)吸收率分別為99.8%和99.9%.通過改變外界環(huán)境溫度可控制二氧化釩相變,從而使兩個頻點(diǎn)吸收率從99.8%變化到1.0%.改變?nèi)肷浣呛推駪B(tài),計(jì)算結(jié)果表明在入射角0°—40°,吸收器在TE和TM兩種極化波下吸收率都能在98%以上.該太赫茲波吸收器具有高吸收、動態(tài)調(diào)諧、極化不敏感等特性,本文所設(shè)計(jì)的可調(diào)太赫茲吸收器在太赫茲波相關(guān)領(lǐng)域,例如探測器、開關(guān)、動態(tài)調(diào)制器、隱身技術(shù)等方面具有很好的應(yīng)用前景.

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本文編號：3847400