為了研究磷酸鋅二次摻雜聚吡咯/聚噻吩膜的光電及防腐蝕性能,采用直接接觸氧化技術(shù)在磷酸鋅溶液中制備出摻雜聚吡咯/聚噻吩,再用磷酸鋅在脫摻雜聚吡咯的基礎(chǔ)上制備出性能優(yōu)良的二次摻雜聚吡咯/聚噻吩膜。采用循環(huán)伏安曲線、掃描電鏡和動(dòng)電位極化曲線測(cè)試了二次摻雜聚吡咯/聚噻吩/磷酸鋅復(fù)合材料的微觀形貌及光電性能,并與一次摻雜及未摻雜的聚吡咯/聚噻吩進(jìn)行了對(duì)比。測(cè)試結(jié)果表明:不銹鋼表面覆蓋摻雜的聚吡咯/聚噻吩膜都有較好的光電性能,以二次摻雜聚吡咯/聚噻吩膜性能為最好。與未摻雜的聚吡咯/聚噻吩高分子膜相比,二次摻雜聚吡咯膜的腐蝕電位比純聚苯胺膜提高了約0.989 V,自腐蝕電流降低了約2個(gè)數(shù)量級(jí)。

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【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
    2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
    2.2 二次摻雜聚吡咯/聚噻吩膜的制備方法
    2.3 二次摻雜聚吡咯/聚噻吩高分子膜的制備
    2.4 表征及防腐蝕性能測(cè)試
3 結(jié)果與討論
    3.1 循環(huán)伏安曲線
    3.2 充放電曲線
    3.3 掃描電鏡
    3.4 極化曲線
    3.5 顆粒的加入量對(duì)Ppy-ZP膜層光電性能的影響
4 結(jié)論



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