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高分子輔助沉積法制備鎢摻雜的二氧化釩薄膜

發(fā)布時間:2023-08-01 18:10
  利用高分子輔助沉積法(PAD)制備出鎢摻雜二氧化釩(VO2)薄膜。采用X射線衍射、光電子能譜、掃描電子顯微鏡、Raman光譜等表征技術(shù)對不同含量鎢摻雜的VO2薄膜性能進行了研究。結(jié)果表明:利用PAD方法制備的VO2薄膜質(zhì)量較好,且鎢離子摻雜成功。同時Raman光譜顯示,鎢摻雜1.0%(摩爾分數(shù))的薄膜在相變過程中出現(xiàn)M2相。電學測試結(jié)果顯示,鎢摻雜的VO2薄膜相變溫度大幅下降,每摻雜0.3%(摩爾分數(shù))的鎢離子,相變溫度下降10℃,且隨著鎢摻量的增加,VO2薄膜的熱滯回線寬度減小。

【文章頁數(shù)】:7 頁

【文章目錄】:
1 實驗
    1.1 釩離子與鎢離子的高分子前驅(qū)液配置
    1.2 二氧化釩薄膜的制備
    1.3 材料表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 薄膜結(jié)構(gòu)分析
    2.2 薄膜元素價態(tài)分析
    2.3 薄膜形貌分析
    2.4 變溫Raman光譜分析
    2.5 薄膜電學性能分析
3 結(jié)論



本文編號:3838103

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