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氮化鋁/聚偏二氟乙烯納米復(fù)合材料的制備與介電性能

發(fā)布時(shí)間:2023-06-27 23:14
  采用溶劑蒸發(fā)法制備氮化鋁(Al N)/聚偏二氟乙烯(PVDF)納米復(fù)合材料。將AlN納米粉末加入無水乙醇中,經(jīng)超聲分散得懸浮液;將PVDF粉末溶解于N,N-二甲基甲酰胺中,加入懸浮液,磁力攪拌,經(jīng)干燥箱干燥得AlN/PVDF納米復(fù)合膜。采用SEM、XRD、FTIR等手段表征了納米復(fù)合材料的形貌及結(jié)構(gòu)變化,另分析了介電常數(shù)與頻率的相關(guān)曲線。研究結(jié)果表明,當(dāng)AlN納米粒子的填充量為10%時(shí),尺寸小于100 nm的Al N納米片均勻分散在PVDF基體內(nèi),二者相容性好,觀察不到相界面,且AlN/PVDF納米復(fù)合材料仍具有高的韌性。AlN/PVDF納米復(fù)合材料的介電常數(shù)對頻率的依賴性非常大,在低頻下具有非常高的介電常數(shù),其值達(dá)到55,為純PVDF的27倍,但高頻條件下AlN/PVDF納米復(fù)合膜與PVDF膜的介電常數(shù)非常接近。

【文章頁數(shù)】:3 頁

【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 Al N/PVDF復(fù)合材料的制備
    1.2 測試與表征
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號:3835524

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