發(fā)布時間：2023-05-28 09:07

　　本文發(fā)現(xiàn)很有趣的量子效應(yīng),納米硅表面摻雜氧而形成的電子局域態(tài)中電子自旋能級間隔會有明顯的展寬,被約束在局域態(tài)中的電子自旋±1/2能態(tài)間距被展寬兩個數(shù)量級,達到100 meV左右.本文用納秒脈沖激光在氧氛圍中制備了摻雜氧納米硅結(jié)構(gòu)并形成電子局域態(tài),在實驗檢測中探測到了電子自旋能級展寬效應(yīng);用第一性原理模擬計算方法研究了電子自旋能級展寬效應(yīng),具體地對于納米硅量子點和量子層結(jié)構(gòu)表面的硅氧雙鍵與硅氧橋鍵局域態(tài)中的電子自旋量子態(tài)分別進行了模擬計算研究,證實了實驗結(jié)果.結(jié)合實驗與計算研究結(jié)果分析,建立起電子自旋能級展寬效應(yīng)的物理模型.這些工作在量子信息高保真存儲與處理上會有很好的應(yīng)用.

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本文編號：3824340