本文發(fā)現(xiàn)很有趣的量子效應(yīng),納米硅表面摻雜氧而形成的電子局域態(tài)中電子自旋能級(jí)間隔會(huì)有明顯的展寬,被約束在局域態(tài)中的電子自旋±1/2能態(tài)間距被展寬兩個(gè)數(shù)量級(jí),達(dá)到100 meV左右.本文用納秒脈沖激光在氧氛圍中制備了摻雜氧納米硅結(jié)構(gòu)并形成電子局域態(tài),在實(shí)驗(yàn)檢測(cè)中探測(cè)到了電子自旋能級(jí)展寬效應(yīng);用第一性原理模擬計(jì)算方法研究了電子自旋能級(jí)展寬效應(yīng),具體地對(duì)于納米硅量子點(diǎn)和量子層結(jié)構(gòu)表面的硅氧雙鍵與硅氧橋鍵局域態(tài)中的電子自旋量子態(tài)分別進(jìn)行了模擬計(jì)算研究,證實(shí)了實(shí)驗(yàn)結(jié)果.結(jié)合實(shí)驗(yàn)與計(jì)算研究結(jié)果分析,建立起電子自旋能級(jí)展寬效應(yīng)的物理模型.這些工作在量子信息高保真存儲(chǔ)與處理上會(huì)有很好的應(yīng)用.

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本文編號(hào)：3824340