低維納米晶體材料在半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用。近年來,人們越來越關(guān)注三維系統(tǒng)中有一維或兩維的尺寸在1-100 nm之間的功能低維納米晶體材料,與之相關(guān)的研究成果報(bào)道也越來越多。迄今為止,許多關(guān)于制備一維、二維等低維納米晶體的制備實(shí)驗(yàn)一般采用各向異性的晶體表面作為生長基底。其原因主要是晶體表面具有一定的方向性和周期性,與所生長的晶體特征相匹配,有利于晶體沿著某些生長方向定向生長。與此相比,在液體基底表面制備納米晶體的相關(guān)研究很少見有報(bào)道。本文采用真空熱蒸發(fā)方法,在離子液體表面沉積鋅原子,成功制備出低維鋅納米晶體,同時(shí)研究了不同液相基底(硅油)以及基底溫度對鋅晶體形貌的影響,并對其生長機(jī)理進(jìn)行了分析探討。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在相同基底溫度(Ts = 20℃)、名義沉積速率(f = 0.01nm/s)以及名義沉積厚度(d=8.0nm)情況下,如同在硅油基底表面一樣,在離子液體表面同樣可制備出低維鋅納米晶體,如納米線、納米棒、菱形片等低維鋅晶體。但采用離子液體作為液相基底,其所制備的鋅晶體納米棒的平均尺寸要比前者大數(shù)倍。我們認(rèn)為液相基底的物理特性,如粘滯系數(shù)等,是導(dǎo)致鋅晶體形貌存在明顯差異的...

【文章頁數(shù)】：56 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
Abstract
1 引言
    1.1 晶體研究現(xiàn)狀
        1.1.1 晶體的物理特性
        1.1.2 晶體制備的一般方法
        1.1.3 影響晶體生長特性的因素
    1.2 液相基底表面晶體研究的實(shí)驗(yàn)和理論進(jìn)展
        1.2.1 液相基底表面原子凝聚體及薄膜生長
        1.2.2 液相基底表面高分子晶體的生長特性
        1.2.3 硅油基底表面鋅晶體的生長特性
    1.3 本文的主要研究內(nèi)容及意義
2 實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 離子液體表面鋅晶體樣品的制備
    2.2 離子液體表面鋅晶體樣品的轉(zhuǎn)移及測量
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
    3.1 生長在離子液體表面鋅晶體形貌的基本特征
    3.2 不同液相基底材料對鋅晶體形貌的影響
    3.3 液相基底溫度對鋅晶體形貌的影響
    3.4 生長在離子液體表面低維鋅晶體的形成機(jī)理
4 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
附錄
    附錄A 作者已發(fā)表和待發(fā)表的論文目錄
    附錄B 離子液體[Bmim]BF₄的主要參數(shù)



本文編號：3819663