發(fā)布時(shí)間：2023-05-07 06:46

　　本文利用太陽紫外輻照模擬設(shè)備和高能電子加速器,針對(duì)透明Novastrat-PI和UHMW-PE薄膜開展了250-400 nm紫外和1 Me V電子輻照試驗(yàn),總結(jié)了輻照條件下兩種聚合物薄膜光譜透過率和拉伸特性的變化規(guī)律,并利用FTIR、XPS等分析方法,對(duì)兩種薄膜材料的輻照損傷機(jī)理進(jìn)行了探討。試驗(yàn)結(jié)果表明,Novastrat-PI薄膜的抗輻照性能優(yōu)于UHMW-PE薄膜。紫外輻照對(duì)PI薄膜性能影響較小,其光譜透過率和拉伸特性指標(biāo)均隨著輻照時(shí)間增加呈略微下降的趨勢(shì),在輻照量達(dá)到2000ESH后,最大透過率降低1.88%,抗拉強(qiáng)度和延伸率分別下降24 MPa和33.72%。1 Me V電子輻照對(duì)PI膜性能的影響大于紫外輻照,當(dāng)輻照注量達(dá)到5E16 cm-2時(shí),最大透過率降低5.1%,抗拉強(qiáng)度和延伸率分別降低43 MPa和45.80%。2000ESH紫外輻照后,PE薄膜由乳白色變?yōu)榈S色,最大透過率降低3.1%,抗拉強(qiáng)度和延伸率分別下降10.6 MPa和22.25%;在1E16 cm-2注量電子輻照后,薄膜顏色變深,透過降低7.3%,抗拉強(qiáng)度和延伸率分別降低28 MPa和88.53%。利用FTI...

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題的背景及研究的目的和意義
    1.2 聚酰亞胺和聚乙烯分類及其在空間技術(shù)中的應(yīng)用
        1.2.1 聚酰亞胺薄膜的分類及其應(yīng)用
        1.2.2 聚乙烯薄膜的分類及其應(yīng)用
    1.3 聚合物空間輻照效應(yīng)
        1.3.1 紫外輻照
        1.3.2 帶電粒子輻照
    1.4 空間輻照模擬技術(shù)與方法
        1.4.1 太陽紫外輻照效應(yīng)模擬技術(shù)
        1.4.2 帶電粒子輻照效應(yīng)模擬
    1.5 本文主要研究?jī)?nèi)容
第2章 試驗(yàn)材料、設(shè)備及研究方法
    2.1 試驗(yàn)材料
    2.2 輻照試驗(yàn)及性能測(cè)試
        2.2.1 太陽紫外輻照試驗(yàn)
        2.2.2 電子輻照試驗(yàn)
        2.2.3 力學(xué)性能測(cè)試
        2.2.4 光學(xué)透過率測(cè)試
    2.3 薄膜輻照前后微觀形貌及組織結(jié)構(gòu)表征
        2.3.1 傅里葉變換紅外光譜分析
        2.3.2 X射線光電子能譜分析
        2.3.3 拉曼光譜分析
第3章 輻照條件下PI和PE薄膜性能變化規(guī)律
    3.1 兩種薄膜的光學(xué)和力學(xué)性能
        3.1.1 Novastrat-PI薄膜的性能
        3.1.2 UHMW-PE的性能
    3.2 紫外輻照對(duì)兩種薄膜性能的影響規(guī)律
        3.2.1 Novastrat-PI薄膜性能變化
        3.2.2 UHMW-PE薄膜的性能變化
    3.3 電子輻照對(duì)兩種薄膜性能的影響規(guī)律
        3.3.1 Novastrat-PI薄膜性能變化規(guī)律
        3.3.2 UHMW-PE薄膜性能變化規(guī)律
    3.4 本章小結(jié)
第4章 Novastrat-PI和 UHMW-PE薄膜輻照損傷機(jī)理
    4.1 PI和PE薄膜的分子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
        4.1.1 Novastrat-PI薄膜結(jié)構(gòu)分析
        4.1.2 UHMW-PE薄膜的結(jié)構(gòu)分析
    4.2 PI和PE薄膜的紫外輻照效應(yīng)
        4.2.1 紫外輻照的表面光子效應(yīng)
        4.2.2 對(duì)PI薄膜分子結(jié)構(gòu)的影響
        4.2.3 對(duì)PE薄膜分子結(jié)構(gòu)的影響
        4.2.4 紫外輻照條件下分子結(jié)構(gòu)的演化機(jī)制
    4.3 聚合物薄膜電子輻照損傷機(jī)理
        4.3.1 電子輻照對(duì)薄膜損傷范圍模擬
        4.3.2 電子輻照對(duì)薄膜分子結(jié)構(gòu)的影響
        4.3.3 聚合物輻照降解與交聯(lián)分子結(jié)構(gòu)演化過程
        4.3.4 結(jié)晶度對(duì)PE輻照效應(yīng)的影響
    4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號(hào)：3810493