微弧放電區(qū)間沉積參數(shù)對(duì)TiN薄膜微觀結(jié)構(gòu)與性能的影響
發(fā)布時(shí)間:2023-04-30 00:35
依據(jù)微弧放電區(qū)間大電流高電壓,可大幅度提高陰極靶面離子轟擊強(qiáng)度及轟擊密度的特點(diǎn),本課題利用雙脈沖電場環(huán)境,通過調(diào)控平均靶電流使氣體放電伏安特性處于輝光放電區(qū)間以及具有反歐姆特性的微弧放電區(qū)間,同時(shí)在微弧放電區(qū)間不同氮?dú)饬髁肯轮苽銽iN薄膜,并對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu),力學(xué)及耐腐蝕性能進(jìn)行檢測(cè)與分析,研究不同氣體放電區(qū)間下所制備TiN薄膜的性能差異以及微弧放電區(qū)間氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響,得到如下結(jié)論:利用雙脈沖電場環(huán)境,通過提高平均靶電流的方式將氣體放電伏安特性由輝光放電區(qū)間(平均靶電流<2.5A)引入到微弧放電區(qū)間(平均靶電流>2.5A),并制備多組TiN薄膜。通過對(duì)薄膜的物相及結(jié)構(gòu)的分析可知:隨著平均靶電流的增大,TiN薄膜的擇優(yōu)取向由輝光放電區(qū)間的(200)晶面轉(zhuǎn)變?yōu)槲⒒》烹妳^(qū)間的(111)晶面,且結(jié)晶程度有明顯提高;晶粒由無序的團(tuán)簇結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐?guī)則的三角錐狀結(jié)構(gòu)。對(duì)薄膜的硬度、結(jié)合強(qiáng)度及耐腐蝕性研究可知:輝光放電區(qū)間與微弧放電區(qū)間的變化規(guī)律一致,均隨著平均靶電流的增加呈遞增的趨勢(shì);當(dāng)平均靶電流增大至最大值3A時(shí),薄膜具有最大的硬度(27.1GPa)和H/E值(0....
【文章頁數(shù)】:65 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 引言
1.2 薄膜的形成過程與結(jié)構(gòu)
1.2.1 薄膜的形成過程
1.2.2 薄膜的結(jié)構(gòu)
1.3 磁控濺射技術(shù)的發(fā)展
1.3.1 磁控濺射的工作原理
1.3.2 磁控濺射的優(yōu)缺點(diǎn)分析
1.3.3 磁控濺射的發(fā)展趨勢(shì)
1.4 微弧區(qū)沉積粒子的脫靶方式轉(zhuǎn)變及電場環(huán)境的選擇
1.4.1 微弧區(qū)沉積粒子脫靶方式的轉(zhuǎn)變
1.4.2 電場環(huán)境的選擇
1.5 研究目的及意義
1.6 研究內(nèi)容
1.7 技術(shù)路線圖
2 實(shí)驗(yàn)原理與方法
2.1 試樣基材及預(yù)處理
2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.3 薄膜制備過程及工藝參數(shù)
2.3.1 薄膜制備過程
2.3.2 工藝參數(shù)的設(shè)定
2.4 薄膜結(jié)構(gòu)與性能測(cè)試
2.4.1 X射線衍射(XRD)分析
2.4.2 掃描電子顯微鏡(SEM)形貌分析
2.4.3 原子力顯微鏡(AFM)形貌分析
2.4.4 薄膜的厚度及沉積速率分析
2.4.5 透射電子顯微鏡(TEM)分析
2.4.6 薄膜的顯微硬度分析
2.4.7 薄膜的膜基結(jié)合強(qiáng)度分析
2.4.8 薄膜的耐蝕性分析
3 不同放電區(qū)間平均靶電流對(duì)TiN薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響
3.1 不同平均靶電流對(duì)脫靶機(jī)制及離化率的影響
3.2 不同平均靶電流下TiN薄膜的物相分析
3.3 不同平均靶電流下TiN薄膜的組織形貌分析
3.4 不同平均靶電流下TiN薄膜的表面粗糙度分析
3.5 不同平均靶電流下TiN薄膜的微觀形貌分析
3.6 不同平均靶電流下TiN薄膜的力學(xué)性能分析
3.6.1 顯微硬度分析
3.6.2 膜基結(jié)合強(qiáng)度分析
3.7 不同平均靶電流對(duì)TiN薄膜耐蝕性的影響
3.8 本章小結(jié)
4 微弧放電區(qū)間氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響
4.1 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的物相分析
4.2 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的組織形貌分析
4.3 不同氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜沉積速率的影響
4.4 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的表面粗糙度分析
4.5 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的微觀形貌分析
4.6 不同氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜力學(xué)性能的影響
4.6.1 顯微硬度分析
4.6.2 膜基結(jié)合強(qiáng)度分析
4.7 不同氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜耐蝕性的影響
4.8 本章小結(jié)
5.結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
本文編號(hào):3806059
【文章頁數(shù)】:65 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 引言
1.2 薄膜的形成過程與結(jié)構(gòu)
1.2.1 薄膜的形成過程
1.2.2 薄膜的結(jié)構(gòu)
1.3 磁控濺射技術(shù)的發(fā)展
1.3.1 磁控濺射的工作原理
1.3.2 磁控濺射的優(yōu)缺點(diǎn)分析
1.3.3 磁控濺射的發(fā)展趨勢(shì)
1.4 微弧區(qū)沉積粒子的脫靶方式轉(zhuǎn)變及電場環(huán)境的選擇
1.4.1 微弧區(qū)沉積粒子脫靶方式的轉(zhuǎn)變
1.4.2 電場環(huán)境的選擇
1.5 研究目的及意義
1.6 研究內(nèi)容
1.7 技術(shù)路線圖
2 實(shí)驗(yàn)原理與方法
2.1 試樣基材及預(yù)處理
2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.3 薄膜制備過程及工藝參數(shù)
2.3.1 薄膜制備過程
2.3.2 工藝參數(shù)的設(shè)定
2.4 薄膜結(jié)構(gòu)與性能測(cè)試
2.4.1 X射線衍射(XRD)分析
2.4.2 掃描電子顯微鏡(SEM)形貌分析
2.4.3 原子力顯微鏡(AFM)形貌分析
2.4.4 薄膜的厚度及沉積速率分析
2.4.5 透射電子顯微鏡(TEM)分析
2.4.6 薄膜的顯微硬度分析
2.4.7 薄膜的膜基結(jié)合強(qiáng)度分析
2.4.8 薄膜的耐蝕性分析
3 不同放電區(qū)間平均靶電流對(duì)TiN薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響
3.1 不同平均靶電流對(duì)脫靶機(jī)制及離化率的影響
3.2 不同平均靶電流下TiN薄膜的物相分析
3.3 不同平均靶電流下TiN薄膜的組織形貌分析
3.4 不同平均靶電流下TiN薄膜的表面粗糙度分析
3.5 不同平均靶電流下TiN薄膜的微觀形貌分析
3.6 不同平均靶電流下TiN薄膜的力學(xué)性能分析
3.6.1 顯微硬度分析
3.6.2 膜基結(jié)合強(qiáng)度分析
3.7 不同平均靶電流對(duì)TiN薄膜耐蝕性的影響
3.8 本章小結(jié)
4 微弧放電區(qū)間氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響
4.1 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的物相分析
4.2 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的組織形貌分析
4.3 不同氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜沉積速率的影響
4.4 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的表面粗糙度分析
4.5 不同氮?dú)饬髁肯耇iN薄膜的微觀形貌分析
4.6 不同氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜力學(xué)性能的影響
4.6.1 顯微硬度分析
4.6.2 膜基結(jié)合強(qiáng)度分析
4.7 不同氮?dú)饬髁繉?duì)TiN薄膜耐蝕性的影響
4.8 本章小結(jié)
5.結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
本文編號(hào):3806059
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