采用反應(yīng)磁控濺射技術(shù),在單晶Si(100)面基底上制備了4個氮分壓條件下Ta-Ru-N擴(kuò)散阻擋層薄膜。通過X射線衍射(XRD)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、能譜(EDS)、透射電子顯微鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)以及四探針電阻測試儀(FPP),對所制備薄膜的相結(jié)構(gòu)、表面形貌和電學(xué)性能進(jìn)行了表征,研究了氮分壓對薄膜微觀組織和性能的影響。研究結(jié)果表明:制備的Ta-Ru-N薄膜為非晶態(tài),適量氮氣的加入能夠提高薄膜表面的平整度,薄膜方阻隨著氮分壓的增加而逐漸增加。

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 試驗方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 氮分壓對Ta-Ru-N薄膜物相結(jié)構(gòu)的影響
    2.2 氮分壓對Ta-Ru-N薄膜表面及斷面形貌的影響
    2.3 不同氮分壓下Ta-Ru-N薄膜的三維形貌分析
    2.4 不同氮分壓下Ta-Ru-N薄膜的TEM分析
    2.5 不同氮分壓下Ta-Ru-N薄膜的FPP分析
3 結(jié)論



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