發(fā)布時(shí)間：2023-04-22 01:36

　　聚酰亞胺(PI)薄膜由于其優(yōu)異的電氣絕緣性能廣泛應(yīng)用于電機(jī)絕緣、微電子及航空航天等領(lǐng)域。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,電氣技術(shù)向高壓和超高壓化、微電子技術(shù)向小型化,以及變頻節(jié)能等技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的聚酰亞胺薄膜很難達(dá)到要求,這就促使聚酰亞胺薄膜向高性能及功能化方向發(fā)展。本文以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)為合成單體,以N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)為溶劑,以氣相Al₂O₃作為摻雜相,制備了一系列摻雜量不同的PI/納米Al₂O₃三層復(fù)合薄膜,并對(duì)制得的復(fù)合薄膜進(jìn)行了耐電暈性能和電擊穿性能測(cè)試,測(cè)試結(jié)果顯示:當(dāng)氣相Al₂O₃摻雜量為12 wt%時(shí),各種工藝對(duì)應(yīng)的復(fù)合薄膜的耐電暈性能和電擊穿性能最好,即12 wt%為最佳摻雜量。在確定了最佳摻雜量的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了十種不同的亞胺化工藝,并制備了一系列第一、二層亞胺化工藝不同的復(fù)合薄膜。對(duì)三層復(fù)合薄膜的第一層進(jìn)行了紅外光譜測(cè)試,并計(jì)算了不同亞胺化工藝對(duì)應(yīng)的復(fù)合薄膜的第一層的亞胺化率,結(jié)果顯示:紅...

【文章頁(yè)數(shù)】：51 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 研究目的與意義
    1.2 聚酰亞胺概述
    1.3 聚酰亞胺復(fù)合薄膜
        1.3.1 聚酰亞胺復(fù)合薄膜的分類(lèi)
        1.3.2 聚酰亞胺復(fù)合薄膜制備方法
    1.4 聚酰亞胺/無(wú)機(jī)納米復(fù)合薄膜研究現(xiàn)狀
        1.4.1 無(wú)機(jī)納米粒子對(duì)PI薄膜的改性
        1.4.2 聚酰亞胺制備工藝的改進(jìn)
    1.5 課題來(lái)源及研究?jī)?nèi)容
        1.5.1 課題來(lái)源
        1.5.2 課題研究?jī)?nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)部分
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料及設(shè)備
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
    2.2 PI/納米Al₂O₃三層復(fù)合薄膜的制備
        2.2.1 聚酰胺酸(PAA)膠液的制備
        2.2.2 鋪膜及亞胺化過(guò)程
    2.3 測(cè)試與表征
        2.3.1 紅外光譜表征
        2.3.2 掃描電子顯微鏡表征
        2.3.3 擊穿場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試
        2.3.4 耐電暈性能測(cè)試
        2.3.5 電導(dǎo)電流測(cè)試
    2.4 本章小結(jié)
第3章 結(jié)果與討論
    3.1 亞胺化率的計(jì)算
    3.2 Al₂O₃最佳摻雜量的確定
        3.2.1 納米Al₂O₃摻雜量對(duì)PI薄膜擊穿場(chǎng)強(qiáng)的影響
        3.2.2 納米Al₂O₃摻雜量對(duì)PI薄膜耐電暈性能的影響
    3.3 亞胺化率對(duì)PI/Al₂O₃三層復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)的影響
    3.4 亞胺化率對(duì)PI/Al₂O₃三層復(fù)合薄膜擊穿場(chǎng)強(qiáng)的影響
    3.5 亞胺化率對(duì)PI/Al₂O₃三層復(fù)合薄膜耐電暈性能的影響
        3.5.1 亞胺化率對(duì)PI/Al₂O₃三層復(fù)合薄膜耐電暈時(shí)間的影響
        3.5.2 電暈處理后的復(fù)合薄膜的表面形貌分析
    3.6 亞胺化率對(duì)PI薄膜電導(dǎo)電流特性的影響
        3.6.1 常溫下PI薄膜的電導(dǎo)電流特性分析
        3.6.2 變溫條件下PI薄膜的電導(dǎo)電流特性分析
    3.7 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
致謝



本文編號(hào)：3796653