近年來,集成電路產業(yè)朝高密度、高自動化的方向不斷發(fā)展,其應用尺寸不斷縮小,采用低介電常數(shù)介質薄膜作為層間介質在解決這類問題方面具有巨大的潛力。由于籠型倍半硅氧烷(Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane,POSS)的內部具有無機組分的核能提供良好的耐熱性并且中空,外部接有不同的有機基團的特性,可增強與聚合物基體間的相容性,引入POSS能夠向聚合物中引入納米孔,空氣的介電常數(shù)為1,故可明顯降低材料的介電常數(shù)并提升其熱學性能。本文旨在利用POSS與氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)混合共同引入聚酰亞胺(Polyimide,PI)基體制備具有低介電常數(shù)復合薄膜。本文以4,4’-二氨基二苯醚(4,4’-Oxybisbenzenamine,ODA)、均苯四甲酸二酐(Pyromellitic Dianhydride,PMDA)為原料,制備聚酰亞胺薄膜。并將其與籠型倍半硅氧烷(POSS)、4,4’-二氨基二苯醚改性后的氧化石墨烯(ODA-GO)復合,通過原位分散聚合法制備了具有低介電常數(shù)的籠型倍半硅氧烷/聚酰亞胺(POSS/PI)及用ODA-GO制備了氧...

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【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景及研究的目的和意義
    1.2 國內外研究進展
        1.2.1 低介電聚酰亞胺復合材料改性方法研究進展
        1.2.2 POSS/PI復合材料的研究進展
        1.2.3 GO/PI復合材料的研究進展
        1.2.4 POSS/GO/PI復合材料研究進展
    1.3 主要研究內容
第2章 實驗部分
    2.1 引言
    2.2 實驗原料
    2.3 實驗內容
        2.3.1 POSS/PI復合薄膜的制備
        2.3.2 氧化石墨的制備
        2.3.3 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的制備
    2.4 表征測試方法
        2.4.1 掃描電鏡(SEM)
        2.4.2 透射電鏡(TEM)
        2.4.3 X射線衍射(XRD)
        2.4.4 紅外光譜(FT-IR)
        2.4.5 介電常數(shù)及介電損耗
        2.4.6 熱失重(TGA)
        2.4.7 玻璃化轉變溫度(DSC)
        2.4.8 力學性能
        2.4.9 吸濕性
第3章 POSS/PI復合薄膜的表征及性能研究
    3.1 POSS/PI復合薄膜的表征
    3.2 POSS/PI復合薄膜的介電性能
        3.2.1 POSS/PI復合薄膜的介電常數(shù)
        3.2.2 POSS/PI復合薄膜的介電損耗
    3.3 POSS/PI復合薄膜的熱學性能
    3.4 POSS/PI復合薄膜的力學性能
    3.5 POSS/PI復合薄膜的吸濕性能
    3.6 本章小結
第4章 ODA-GO/POSS/PI薄膜的表征及性能研究
    4.1 GO的改性
        4.1.1 TEM分析
        4.1.2 XRD分析
        4.1.3 FT-IR分析
        4.1.4 TGA分析
    4.2 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的表征
    4.3 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的介電性能
        4.3.1 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的介電常數(shù)
        4.3.2 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的介電損耗
    4.4 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的熱學性能
    4.5 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的力學性能
    4.6 ODA-GO/POSS/PI復合薄膜的吸濕性能
    4.7 本章小結
結論
參考文獻
攻讀學位期間發(fā)表的學術論文及學術成果
致謝



本文編號：3789702