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Ti含量對溶膠-凝膠法制備Ti、Ga共摻ZnO薄膜性能的影響

發(fā)布時間:2023-04-11 01:04
  采用溶膠-凝膠旋涂法在玻璃襯底上沉積納米結構Ti、Ga共摻ZnO薄膜(TGZO,Ga摻雜量為1.0%(原子分數(shù),下同)),用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、分光光度計(UV-Vis)、四探針測試儀、霍爾效應測試儀研究了Ti含量對TGZO薄膜的物相組成、表面形貌、電學和光學性能的影響。結果表明:所有TGZO薄膜均表現(xiàn)出六方纖鋅礦的多晶結構,并具有(002)擇優(yōu)取向生長,在380~780 nm波長范圍內具有良好的透射率(>86%);隨著Ti含量的增加,TGZO薄膜的晶粒尺寸和可見光平均透射率均先增加后減小,而光學帶隙和電阻率先減小后增加;Ti摻雜量為1.0%時,具有最高的可見光透射率92.82%,最窄的光學帶隙3.249 eV,以及最低電阻率2.544×10-3Ω·cm。

【文章頁數(shù)】:8 頁

【文章目錄】:
0 引 言
1 實 驗
    1.1 溶膠的制備
    1.2 薄膜制備
    1.3 性能表征
2 結果與討論
    2.1 薄膜的晶體結構分析
    2.2 薄膜表面形貌分析
    2.3 薄膜光學性能分析
    2.4 薄膜電學性能分析
3 結 論



本文編號:3789047

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