退火對(duì)磁控濺射摻銪氧化釔薄膜光致發(fā)光譜的影響
發(fā)布時(shí)間:2023-04-10 01:35
稀土摻雜熒光薄膜的發(fā)光性能與薄膜所經(jīng)歷的后退火處理密切相關(guān)。為了解退火對(duì)磁控濺射制備的Y2O3∶Eu3+薄膜發(fā)光性能的影響,在三種不同的工藝條件下,采用射頻磁控濺射方法制備了三組厚度100多納米的Y2O3∶Eu3+薄膜樣品,并在氧氣氣氛和常壓條件下對(duì)每組的四個(gè)樣品分別進(jìn)行室溫、 700、 900和1 100℃的2 h退火處理。樣品的X射線衍射譜(XRD)、電子能量色散譜(EDS)、光致發(fā)光(PL)及其激發(fā)光譜的測(cè)量結(jié)果表明,雖然薄膜是在不同條件下濺射得到的,但經(jīng)相同的退火處理后,它們的發(fā)光和結(jié)構(gòu)卻都呈現(xiàn)出相同的變化規(guī)律。首先,薄膜熒光的主激發(fā)機(jī)制不受退火溫度的影響,都是波長(zhǎng)為252 nm的電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)。其次, 700℃退火處理仍不能有效地改變薄膜的弱發(fā)光性能;當(dāng)退火溫度達(dá)到900℃時(shí),伴隨著薄膜中立方相晶粒的增大,發(fā)光強(qiáng)度也得以顯著提升,薄膜在252 nm光激發(fā)下發(fā)射出中心位于612 nm的立方相特征主峰;當(dāng)薄膜經(jīng)歷1 100℃退火處理后,膜內(nèi)發(fā)生了從立方...
【文章頁數(shù)】:5 頁
【文章目錄】:
引 言
1 實(shí)驗(yàn)部分
2 結(jié)果與討論
3 結(jié) 論
本文編號(hào):3788091
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1 實(shí)驗(yàn)部分
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