發(fā)布時(shí)間：2023-04-09 17:24

　　先采用陽極氧化法,以兩步施加電壓的方式在鈦片表面制備了具有納米孔結(jié)構(gòu)的TiO₂薄膜。然后采用周期換向脈沖電沉積法將光敏劑meso-四(4-甲氧基苯基)卟啉(TPMP)負(fù)載到TiO₂納米孔薄膜上。通過電化學(xué)阻抗譜和有無光照下的開路電位-時(shí)間曲線測(cè)試來分析TPMP負(fù)載的薄膜的光電性能。以電化學(xué)反應(yīng)電阻Rr和有無光照下的開路電位變化量Δφoc為指標(biāo),利用正交試驗(yàn)研究了溶液溫度、平均電流、負(fù)載總時(shí)間、正/反向占空比和正/反向脈沖時(shí)間對(duì)TPMP負(fù)載的TiO₂薄膜光電性能的影響。結(jié)果表明,影響占主導(dǎo)的因素為溶液溫度、正向占空比和平均電流,其次為負(fù)載總時(shí)間、反向脈沖工作時(shí)間和反向占空比,影響最小的是正向脈沖工作時(shí)間。最佳的負(fù)載工藝參數(shù)為:溶液溫度45℃,平均電流60 mA,正向占空比20%,反向占空比50%,正向脈沖工作時(shí)間80 ms,反向脈沖工作時(shí)間5 ms,負(fù)載總時(shí)間40 min。該條件下所得TPMP負(fù)載的TiO₂納米孔薄膜在有無光照下的開路電位變化量最大,有光照下的電化學(xué)反應(yīng)電阻最小。

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本文編號(hào)：3787433