InMO₃(ZnO)_m(M=In、Ga)同系物化合物不僅是一種良好的透明氧化物半導(dǎo)體,而且具有良好的電子傳輸特性,因而受到了人們的廣泛關(guān)注。InMO₃(ZnO)_m(M=In、Ga)同系物化合物中具有一種新奇的結(jié)構(gòu)—“超晶格結(jié)構(gòu)”,這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了ZnO納米材料許多令人欣喜的光電性能。近年來(lái),由于ZnO多元摻雜在制備過(guò)程中存在一定程度上的困難,所以很少有關(guān)于具有超晶格結(jié)構(gòu)的IZO/IGZO納米線或納米帶的報(bào)道,對(duì)其物理性質(zhì)的研究也很少。如何實(shí)現(xiàn)IZO/IGZO納米線和納米帶的可控生長(zhǎng)以及對(duì)其物理性質(zhì)的探索成為了研究的關(guān)鍵。本論文中我們成功制備出IZO/IGZO納米結(jié)構(gòu),并對(duì)其物理性質(zhì)進(jìn)行了深入研究。關(guān)于IZO納米結(jié)構(gòu)的制備,主要利用化學(xué)氣相沉積法。我們使用雙溫區(qū)管式爐,利用高溫?zé)嵴舭l(fā)法,以Zn(NO₃)₂和In(NO₃)₃粉末為原材料,在1400℃溫度下合成了In₂O₃

【文章頁(yè)數(shù)】：50 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
英文摘要
第一章 緒論
    1.1 前言
    1.2 摻雜ZnO納米材料研究概述
    1.3 In₂O₃(ZnO)_m超晶格納米結(jié)構(gòu)研究進(jìn)展
    1.4 InGaO₃(ZnO)_m超晶格納米結(jié)構(gòu)研究進(jìn)展
    1.5 論文選題意義及研究?jī)?nèi)容
第二章 In₂O₃(ZnO)_m納米材料制備、表征和電學(xué)性能研究
    2.1 實(shí)驗(yàn)裝置
    2.2 碳熱法制備In₂O₃(ZnO)_m納米材料初步探索
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        2.2.3 樣品表征
    2.3 高溫?zé)嵴舭l(fā)法合成In₂O₃(ZnO)_m納米結(jié)構(gòu)
        2.3.1 In₂O₃(ZnO)_m納米結(jié)構(gòu)的制備
        2.3.2 In₂O₃(ZnO)_m納米結(jié)構(gòu)的表征
        2.3.3 In₂O₃(ZnO)_m納米帶電學(xué)性能研究
第三章 InGaO₃(ZnO)_m納米材料制備及其物性分析
    3.1 高溫?zé)嵴舭l(fā)法制備InGaO₃(ZnO)_m納米線
        3.1.1 InGaO₃(ZnO)_m納米線的制備
        3.1.2 InGaO₃(ZnO)_m納米線的表征
    3.2 金屬熱擴(kuò)散法制備InGaO₃(ZnO)_m超晶格納米帶
        3.2.1 InGaO₃(ZnO)_m超晶格納米帶的制備
        3.2.2 InGaO₃(ZnO)_m超晶格納米帶的表征
        3.2.3 InGaO₃(ZnO)_m超晶格納米帶電學(xué)性能研究
第四章 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號(hào)：3786014