在原子尺度制造方法中,原子層沉積(ALD)是一種依靠表面自限制吸附反應(yīng)沉積超薄膜的技術(shù),具有優(yōu)異的制造精度、保型性和沉積均勻一致性等獨(dú)特優(yōu)勢.本文介紹了ALD技術(shù)在納米顆粒表面改性的最新進(jìn)展及應(yīng)用.通過ALD工藝調(diào)控可以精準(zhǔn)制備致密包覆層,多孔包覆層以及表面定向改性構(gòu)型.納米級致密包覆層可以隔絕外界環(huán)境,提升顆粒穩(wěn)定性,同時保留顆粒本體性能.多孔包覆層則具有納米通道,在保留顆粒與外界接觸的同時,實(shí)現(xiàn)了對進(jìn)入反應(yīng)物尺寸的篩選,以及提供了物理限域作用增強(qiáng)穩(wěn)定性.表面定向改性則能夠選擇性鈍化或者暴露納米顆粒特定功能表面. ALD的顆粒表面改性技術(shù)在電極材料、含能與磁性顆粒的穩(wěn)定化,催化劑活性位點(diǎn)定向調(diào)控等方面具有前瞻性應(yīng)用.最后,文章展望了ALD進(jìn)行微納顆粒表面改性未來面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展方向.

【文章頁數(shù)】：11 頁

【文章目錄】：
1. Introduction
2. Conformal coating on particles
3. Porous coating and confined structures on particles
4. Selective decoration on particles
5. ALD precursors and reactors for particles surface functionalization
6. Conclusion and perspective
Conflict of interest
Author contributions



本文編號：3785495