為了提高單晶硅表面的光學(xué)利用效率,本文采用水熱法在其表面生長(zhǎng)一層平均棒長(zhǎng)為900±50 nm,直徑為100±20 nm的金紅石相Ti O2納米棒陣列。通過(guò)積分球反射光譜對(duì)這種Ti O2/Si復(fù)合材料進(jìn)行抗反射性能表征,發(fā)現(xiàn)這種復(fù)合材料具有較好的抗反射性能;通過(guò)測(cè)量Ti O2/Si復(fù)合材料的光電流性能,發(fā)現(xiàn)其具有高效的光電轉(zhuǎn)化效率,可有效提高太陽(yáng)光的利用率;通過(guò)探討Ti O2/Si復(fù)合材料對(duì)亞甲基藍(lán)的降解,發(fā)現(xiàn)其在光催化降解染料效率方面具有顯著的提高效果。

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【文章目錄】：
1 材料與方法
    1. 1 實(shí)驗(yàn)試劑
    1. 2 實(shí)驗(yàn)儀器
    1. 3 Ti O2/ Si復(fù)合材料的制備
    1. 4 光電性能測(cè)試
    1. 5 光催化性能測(cè)試
2 結(jié)果與討論
    2. 1 Ti O2/ Si復(fù)合材料的形貌分析
    2. 2 Ti O2的XRD分析
    2. 3 Ti O2/ Si復(fù)合材料的抗反射性能
    2. 4 Ti O2/ Si復(fù)合材料的光電性能
    2. 5 Ti O2/ Si復(fù)合材料的光催化性能
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3773945