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CVD技術制備Ta/W層狀復合材料

發(fā)布時間:2023-03-28 17:42
  運用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)技術制備了W體積分數分別10%,13%和18%的Ta/W兩層層狀復合材料,采用金相顯微鏡(OM)、掃描電鏡(SEM)和室溫拉伸實驗對復合材料的性能進行分析。結果表明:運用CVD技術可以制備W體積分數不同,且密度優(yōu)于理論密度99.4%的層狀復合材料;復合材料中Ta,W層的晶粒均為柱狀晶粒,離界面越近,晶粒越細;沉積態(tài)復合材料的力學性能優(yōu)于純CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的熱處理后,復合材料的界面擴散層寬度顯著增大,力學性能高于沉積態(tài)的力學性能,最高抗拉強度可達660 MPa。

【文章頁數】:6 頁

【文章目錄】:
1 實驗材料與方法
    1.1 實驗原料
    1.2 實驗方法
2 實驗結果及分析
    2.1 W體積分數測量
    2.2 復合材料的密度測定
    2.3 CVD Ta/W復合材料的微觀形貌
    2.4 CVD Ta/W復合材料的力學性能
3 結論



本文編號:3772980

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