系統(tǒng)研究了非鉛雙鈣鈦礦納米晶中自缺陷態(tài)激子引起的寬帶熒光現(xiàn)象.帶隙類型(直接、間接)對(duì)自缺陷態(tài)熒光的性質(zhì)有著重要的影響:間接帶隙納米晶中,其激子-聲子耦合作用較強(qiáng),產(chǎn)生了非輻射自缺陷態(tài),而直接帶隙納米晶中的激子-聲子耦合相對(duì)較弱,因此,可以發(fā)射出較強(qiáng)的自缺陷態(tài)熒光.此外,通過在Cs₂AgInCl₆中引入K⁺和Li⁺,納米晶可以發(fā)射出強(qiáng)白光.電荷載流子動(dòng)力學(xué)研究表明,導(dǎo)致這種高效白光發(fā)射的原因是自缺陷態(tài)激子地非輻射復(fù)合過程被進(jìn)一步抑制.該研究將進(jìn)一步加深對(duì)自缺陷態(tài)的理解并對(duì)設(shè)計(jì)出優(yōu)異性質(zhì)的非鉛鈣鈦礦具有指導(dǎo)意義.

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【文章目錄】：
1. Introduction
2. Experimental
    2.1. Preparation of cesium oleate
    2.2. Synthesis of Cs2AgInCl6and Cs2AgBi0.1In0.9Cl6NCs
3. Results and discussion
    3.1. Charge-carrier dynamics of STE
4. Conclusions
Conflict of interest
Author contributions
Appendix A.Supplementary materials



本文編號(hào)：3771818