為揭示V_XO_Y薄膜場致相變規(guī)律,推廣釩氧化物應用于衛(wèi)星控制系統(tǒng),指導氧化釩規(guī)模制備,將磁控濺射法和真空退火工藝相結(jié)合,在Al₂O₃陶瓷基片上制備出V_XO_Y薄膜,降低了實驗對儀器精度的要求,提高了實驗的成功率。對基片進行磁控濺射鍍膜,在管式爐中進一步氧化處理生成表面均勻的V₂O₅,然后進行高溫退火處理,對不同退火條件下的生成的薄膜進行了XRD表征。測得了電場激勵下V_XO_Y薄膜的相變現(xiàn)象,驗證了電場激勵下焦耳熱并非薄膜相變的主導因素;總結(jié)了不同組分下V_XO_Y薄膜的相變規(guī)律,研究了不同V₆O₁₃含量對VO₂薄膜臨界相變電壓的影響規(guī)律,可指導V_XO_Y薄膜應用于微納衛(wèi)星等極端環(huán)境下的設備控制系統(tǒng)。

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【文章目錄】：
0 引 言
1 實驗過程
    1.1 薄膜的制備
    1.2 高電壓測試系統(tǒng)的設計
2 退火溫度對VO2薄膜的影響規(guī)律
    2.1 氧化時間對V2O5薄膜微觀形貌的影響
    2.2 不同氧化溫度對V2O5薄膜組分的影響
3 測試結(jié)果及分析
    3.1 場致相變規(guī)律研究
    3.2 相變電場調(diào)節(jié)技術(shù)研究
4 結(jié) 論



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