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Cu-Al金屬間化合物的形成與生長及其對電鍍Cu/Al層狀復(fù)合材料電性能的影響(英文)

發(fā)布時間:2023-03-05 11:20
  采用純Al片表面浸Zn后再電鍍厚Cu層的方法制備Cu/Al層狀復(fù)合材料。在473673 K溫度范圍內(nèi)對該復(fù)合材料進(jìn)行退火,研究退火過程中Cu/Al界面擴散與反應(yīng)、界面金屬間化合物(IMCs)層的長大動力學(xué)以及Cu/Al層狀復(fù)合材料電阻率。結(jié)果表明,經(jīng)過473 K、360 h的退火處理,未觀察到Cu-Al IMCs層,顯示Zn中間層能有效抑制Cu/Al界面擴散?墒,當(dāng)復(fù)合材料經(jīng)573 K及以上溫度退火時,Zn層中的Zn原子主要向Cu中擴散,從Al側(cè)到Cu側(cè)形成CuAl2/CuAl/Cu9Al4三層結(jié)構(gòu)的反應(yīng)產(chǎn)物。IMC層遵循擴散控制的生長動力學(xué),Cu/Al復(fù)合材料的電阻率隨退火溫度及時間的增加而增大。

【文章頁數(shù)】:9 頁


本文編號:3756097

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