用于虹膜識(shí)別的低角度效應(yīng)帶通濾光片的研制
發(fā)布時(shí)間:2023-02-26 02:18
隨著圖像識(shí)別技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對(duì)虹膜識(shí)別系統(tǒng)的使用要求越來(lái)越高,因此虹膜識(shí)別系統(tǒng)對(duì)其核心光學(xué)元件—濾光片的要求也越來(lái)越嚴(yán)格。本文根據(jù)虹膜識(shí)別系統(tǒng)使用要求,研制一種大角度小偏移量的低角度效應(yīng)帶通濾光片。通過(guò)對(duì)多種薄膜材料的特性研究,最終選擇a-Si:H、Si3N4和SiO2分別為高、中和低折射率材料。經(jīng)過(guò)理論計(jì)算、軟件模擬和測(cè)試分析發(fā)現(xiàn),腔層中間隔層材料的折射率越高,腔層的等效折射率越高,薄膜的低角度效應(yīng)越好,因此使用a-Si:H和Si3N4材料對(duì)腔層進(jìn)行設(shè)計(jì),并且使用a-Si:H材料作為間隔層。采用等離子體輔助中頻孿生靶反應(yīng)磁控濺射設(shè)備沉積薄膜,通過(guò)改變H2充氣量來(lái)調(diào)節(jié)a-Si:H材料中Si和H的比例,提高了a-Si:H薄膜的折射率,由此也提高了腔層的等效折射率,確定了a-Si:H材料的工藝參數(shù)。同樣經(jīng)試驗(yàn)優(yōu)化了Si3N4和SiO2的工藝,并借助色散模型準(zhǔn)確擬合了三種材料的光學(xué)常數(shù)。利用9...
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
1.1 研究背景及意義
1.2 低角度效應(yīng)薄膜研究現(xiàn)狀
1.2.1 國(guó)外研究現(xiàn)狀
1.2.2 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
1.3 薄膜制備技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
1.3.1 物理氣相沉積
1.3.2 化學(xué)氣相沉積
1.3.3 薄膜制備方法比較
1.4 本課題研究?jī)?nèi)容
第2章 薄膜材料選擇及其工藝的研究
2.1 薄膜材料的選擇
2.2 色散模型的選擇
2.3 薄膜材料工藝的研究
2.3.1 a-Si:H薄膜工藝的研究
2.3.2 Si3N4薄膜工藝的研究
2.3.3 SiO2薄膜工藝的研究
2.4 本章小結(jié)
第3章 光學(xué)薄膜理論及膜系設(shè)計(jì)
3.1 預(yù)期目標(biāo)和設(shè)計(jì)方案
3.2 光學(xué)薄膜的基礎(chǔ)理論
3.3 帶通濾光片
3.3.1 法布里-珀珞濾光膜
3.3.2 帶通濾光片的斜入射效應(yīng)
3.4 干涉截止濾光膜
3.5 膜系設(shè)計(jì)
3.5.1 前表面膜系設(shè)計(jì)
3.5.2 后表面膜系設(shè)計(jì)
3.6 膜系評(píng)價(jià)
3.7 本章小結(jié)
第4章 薄膜的制備、檢測(cè)與差異分析
4.1 Opto Run反應(yīng)磁控濺射設(shè)備簡(jiǎn)介
4.2 濺射技術(shù)和輔助沉積技術(shù)
4.2.1 中頻孿生靶反應(yīng)磁控濺射技術(shù)
4.2.2 等離子體輔助沉積
4.3 濾光片的制備參數(shù)
4.3.1 真空度
4.3.2 沉積工藝參數(shù)
4.3.3 沉積速率
4.3.4 沉積時(shí)間
4.4 工藝流程
4.5 薄膜的光譜特性檢測(cè)與分析
4.6 環(huán)境測(cè)試
4.7 本章小結(jié)
第5章 結(jié)論與展望
5.1 結(jié)論及創(chuàng)新點(diǎn)
5.2 不足與展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果
致謝
本文編號(hào):3749610
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
1.1 研究背景及意義
1.2 低角度效應(yīng)薄膜研究現(xiàn)狀
1.2.1 國(guó)外研究現(xiàn)狀
1.2.2 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
1.3 薄膜制備技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
1.3.1 物理氣相沉積
1.3.2 化學(xué)氣相沉積
1.3.3 薄膜制備方法比較
1.4 本課題研究?jī)?nèi)容
第2章 薄膜材料選擇及其工藝的研究
2.1 薄膜材料的選擇
2.2 色散模型的選擇
2.3 薄膜材料工藝的研究
2.3.1 a-Si:H薄膜工藝的研究
2.3.2 Si3N4薄膜工藝的研究
2.3.3 SiO2薄膜工藝的研究
2.4 本章小結(jié)
第3章 光學(xué)薄膜理論及膜系設(shè)計(jì)
3.1 預(yù)期目標(biāo)和設(shè)計(jì)方案
3.2 光學(xué)薄膜的基礎(chǔ)理論
3.3 帶通濾光片
3.3.1 法布里-珀珞濾光膜
3.3.2 帶通濾光片的斜入射效應(yīng)
3.4 干涉截止濾光膜
3.5 膜系設(shè)計(jì)
3.5.1 前表面膜系設(shè)計(jì)
3.5.2 后表面膜系設(shè)計(jì)
3.6 膜系評(píng)價(jià)
3.7 本章小結(jié)
第4章 薄膜的制備、檢測(cè)與差異分析
4.1 Opto Run反應(yīng)磁控濺射設(shè)備簡(jiǎn)介
4.2 濺射技術(shù)和輔助沉積技術(shù)
4.2.1 中頻孿生靶反應(yīng)磁控濺射技術(shù)
4.2.2 等離子體輔助沉積
4.3 濾光片的制備參數(shù)
4.3.1 真空度
4.3.2 沉積工藝參數(shù)
4.3.3 沉積速率
4.3.4 沉積時(shí)間
4.4 工藝流程
4.5 薄膜的光譜特性檢測(cè)與分析
4.6 環(huán)境測(cè)試
4.7 本章小結(jié)
第5章 結(jié)論與展望
5.1 結(jié)論及創(chuàng)新點(diǎn)
5.2 不足與展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果
致謝
本文編號(hào):3749610
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