自石墨烯的發(fā)現(xiàn)以來,對新型二維材料的研究引起了廣泛的關(guān)注,并將研究對象逐漸擴(kuò)展至了功能化石墨烯、六方晶系氮化硼、過渡金屬硫族化合物以及黑磷等一系列的新材料。當(dāng)新型二維材料的尺寸減小到其激子玻爾半徑以下時(shí),就獲得了相應(yīng)的新型二維材料量子點(diǎn)(2D QDs)。在量子尺度空間由于受到一系列量子效應(yīng)的影響,2D QDs呈現(xiàn)出了許多不同于塊體材料的低維物性,尤其是能級結(jié)構(gòu)會發(fā)生很大的變化,并具有了獨(dú)特的光電性質(zhì)。在本論文的研究中,我們采用液相超聲剝離技術(shù),從塊體材料中分別剝離得到了顆粒尺寸在5 nm左右的新型二維材料量子點(diǎn):氟摻雜石墨烯量子點(diǎn)(F-GQDs)和過渡金屬Ti的硫族化合物量子點(diǎn)(TiSe₂ QDs,TiTe₂ QDs)。通過使用透射電子顯微鏡(TEM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)、拉曼光譜(Raman)、傅里葉紅外光譜(FTIR)、紫外可見光吸收光譜(UV-Vis)、光致發(fā)光光譜(PL)、光致激發(fā)光譜(PLE)和X射線光電子能譜(XPS)等現(xiàn)代分析表征測試技術(shù)對制備得到的新型二維材料量子點(diǎn)進(jìn)行了充分...

【文章頁數(shù)】：97 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 新型二維材料量子點(diǎn)的概述
        1.2.1 量子點(diǎn)的簡介
        1.2.2 新型二維材料量子點(diǎn)的發(fā)展
        1.2.3 新型二維材料量子點(diǎn)的分類及性質(zhì)
    1.3 新型二維材料量子點(diǎn)的制備方法
        1.3.1 自上而下法
        1.3.2 自下而上法
    1.4 新型二維材料量子點(diǎn)的應(yīng)用
        1.4.1 生物醫(yī)療
        1.4.2 儲能器件
        1.4.3 光電器件
        1.4.4 傳感器
        1.4.5 催化劑
    1.5 論文的選題依據(jù)、研究內(nèi)容及意義
第二章 氟摻雜石墨烯量子點(diǎn)(F-GQDs)的制備及表征測試
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)材料及儀器設(shè)備
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
        2.2.3 測試設(shè)備
    2.3 F-GQDs的制備
        2.3.1 實(shí)驗(yàn)步驟
        2.3.2 制備流程
    2.4 表征測試
        2.4.1 SEM表征
        2.4.2 TEM表征
        2.4.3 XRD表征
        2.4.4 FTIR表征
        2.4.5 Raman表征
        2.4.6 UV-Vis表征
        2.4.7 PL與PLE表征
        2.4.8 XPS表征
    2.5 F-GQDs的形成機(jī)理分析
    2.6 本章小結(jié)
第三章 過渡金屬Ti的硫族化合物量子點(diǎn)(TiSe₂ QDs,TiTe₂ QDs)的制備及表征測試
    3.1 引言
    3.2 TiSe₂和TiTe₂的簡介
    3.3 TiSe₂ QDs和TiTe₂ QDs的制備
        3.3.1 實(shí)驗(yàn)原料
        3.3.2 實(shí)驗(yàn)步驟
        3.3.3 實(shí)驗(yàn)流程
    3.4 表征測試
        3.4.1 TEM表征
        3.4.2 AFM表征
        3.4.3 XRD表征
        3.4.4 Raman表征
        3.4.5 UV-Vis表征
        3.4.6 PL與PLE表征
        3.4.7 XPS表征
    3.5 本章小結(jié)
第四章 基于新型二維材料量子點(diǎn)的光電探測器的研制及分析
    4.1 引言
    4.2 基于F-GQDs的紫外光電探測器
        4.2.1 器件制備步驟
        4.2.2 器件性能分析
    4.3 基于TiSe₂ QDs和TiTe₂ QDs的光電探測器
        4.3.1 器件制備步驟
        4.3.2 器件性能分析
    4.4 本章小節(jié)
第五章 全文總結(jié)
    5.1 主要結(jié)論
    5.2 創(chuàng)新點(diǎn)
    5.3 存在的問題及展望
參考文獻(xiàn)
附錄 攻讀碩士學(xué)位期間的科研成果、參與科研項(xiàng)目及獲獎情況
致謝



本文編號：3745564