隨著神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的興起,具有記憶/學(xué)習(xí)功能和信號(hào)處理的記憶元件的開發(fā)對(duì)于構(gòu)造人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路至關(guān)重要。目前,記憶元件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大多是基于硅襯底的傳統(tǒng)MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu),剛性易碎及生物不相容等特點(diǎn)制約了其在柔性系統(tǒng)中的應(yīng)用。因此,迫切需要探索研究基于新型柔性材料體系的記憶元件。絲素蛋白(SF)作為一種柔性生物材料,具有優(yōu)異的機(jī)械性能和生物相容性,但也有一定的局限性,如導(dǎo)電性。通常,絲素蛋白與具有良好導(dǎo)電性能的石墨烯或還原氧化石墨烯(rGO)納米材料復(fù)合,通過(guò)調(diào)控二者之間的界面相互作用,構(gòu)建具有良好機(jī)械性能和導(dǎo)電性能的高性能復(fù)合膜。目前,已有研究人員開展了關(guān)于絲素蛋白和石墨烯納米材料在憶阻器中的應(yīng)用研究,但仍有很多問(wèn)題亟待解決,如操作電壓過(guò)大,電阻轉(zhuǎn)換性較差等。此外,石墨烯/絲素蛋白柔性復(fù)合膜在憶容器中的研究仍是空白。本論文以石墨烯/絲素蛋白柔性復(fù)合膜為切入口,聚焦其在記憶元件中的應(yīng)用。主要研究?jī)?nèi)容與結(jié)果如下:1.rGO-SF膜的制備和表征。利用凝膠-膜轉(zhuǎn)換技術(shù)將SF均勻嵌入rGO片層之間以獲得rGO-SF膜,并對(duì)rGO-SF膜結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系進(jìn)行探究。SF和rGO之間的靜電...

【文章頁(yè)數(shù)】：57 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 記憶元件的概述
    1.3 憶阻器
        1.3.1 憶阻器的結(jié)構(gòu)及特性
        1.3.2 憶阻器的工作機(jī)制
    1.4 憶容器
        1.4.1 憶容器的概述及特性
        1.4.2 憶容器的工作機(jī)制
    1.5 基于石墨烯和蠶絲蛋白的記憶元件
        1.5.1 石墨烯
        1.5.2 絲素蛋白
    1.6 本論文的研究目標(biāo)及內(nèi)容
第2章 rGO-SF膜的制備及性能表征
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)藥品及材料
        2.2.2 氧化石墨烯的制備
        2.2.3 絲素蛋白的制備
        2.2.4 rGO-SF膜的制備
        2.2.5 測(cè)試與表征
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 不同組分的rGO-SF膜的微觀結(jié)構(gòu)表征與分析
        2.3.2 不同組分的rGO-SF膜的電學(xué)性能
    2.4 本章小結(jié)
第3章 基于rGO-SF膜的柔性憶阻器的研究
    3.1 引言
    3.2 基于rGO-SF膜的柔性憶阻器的制備與表征
    3.3 基于rGO-SF膜的柔性憶阻器的電學(xué)測(cè)試
        3.3.1 基于rGO-SF膜的柔性憶阻器的基本性能測(cè)試
        3.3.2 基于rGO-SF膜的柔性憶阻器的記憶特性測(cè)試
    3.4 基于rGO-SF膜的柔性憶阻器的記憶機(jī)制的探究
    3.5 本章小結(jié)
第4章 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的研究
    4.1 引言
    4.2 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的制備及結(jié)構(gòu)表征
    4.3 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的電學(xué)測(cè)試
        4.3.1 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的基本性能測(cè)試
        4.3.2 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的記憶特性測(cè)試
        4.3.3 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的多級(jí)信息存儲(chǔ)
    4.4 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的憶容機(jī)制的探究
    4.5 基于rGO-SF膜的柔性憶容器的彎曲性能測(cè)試
    4.6 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號(hào)：3744427