半導(dǎo)體納米粒子也稱量子點(diǎn)由于具有獨(dú)特的量子尺寸效應(yīng)、隧道效應(yīng)等獨(dú)特的物理、化學(xué)性質(zhì)以及隨之而來的光學(xué)、電學(xué)特性,而受到廣大科研工作者們的廣泛關(guān)注和深入研究。但其納米級(jí)的尺寸在帶來一系列的特征優(yōu)勢(shì)的同時(shí),也給多領(lǐng)域進(jìn)一步應(yīng)用帶來了問題,不夠穩(wěn)定且易遭到環(huán)境影響的特質(zhì)一般只有用惰性基質(zhì)保護(hù)才可以實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。因此,制備量子點(diǎn)-聚合物復(fù)合材料是當(dāng)前研究的新課題。本論文的主要目的是設(shè)計(jì)并制備了CdSe量子點(diǎn)與特種工高分子材料聚芳醚酮的復(fù)合物薄膜,系統(tǒng)研究了直接分散及原位生長(zhǎng)的不同方式來制備量子點(diǎn)-聚合物薄膜,研究不同方式對(duì)于最終的復(fù)合物薄膜的發(fā)光性質(zhì)的影響。在第二章中,以熱注入方式成功制備了一些列尺寸可控(2.2～5.1nm)的高質(zhì)量熒光CdSe納米粒子,并研究了反應(yīng)溫度、脂肪胺用量及反應(yīng)時(shí)間對(duì)反應(yīng)的影響,繼而使用制備的CdSe以直接分散溶解方式進(jìn)行與聚合物的復(fù)合材料的制備,制備了復(fù)合光學(xué)膜。在第三章中,以原位生長(zhǎng)的方式,通過一步法制備CdSe半導(dǎo)體量子點(diǎn)與帶有苯羧基側(cè)鏈的聚芳醚酮聚合物分子的復(fù)合體系為模型,制備出了高質(zhì)量的熒光光學(xué)膜(10*10cm),其熒光性質(zhì)及聚合物復(fù)合帶來的不尋常的穩(wěn)定性,...

【文章頁數(shù)】：44 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 本課題的來源及研究意義
        1.1.1 本課題的來源
        1.1.2 本課題的研究意義
    1.2 半導(dǎo)體納米粒子
    1.3 納米粒子/聚合物復(fù)合材料
        1.3.1 納米晶/聚合物復(fù)合材料的制備方式
            1.3.1.1 直接分散溶解方法
            1.3.1.2 自組裝方法
            1.3.1.3 配體交換方法
            1.3.1.4 表面接枝方法
            1.3.1.5 摻雜聚合的方法
            1.3.1.6 原位生長(zhǎng)方法
        1.3.2 納米晶/聚合物納米復(fù)合材料的廣泛應(yīng)用及意義
            1.3.2.1 生命科學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
            1.3.2.2 光電器件應(yīng)用
            1.3.2.3 環(huán)境響應(yīng)材料領(lǐng)域
    1.4 聚芳醚酮特種工程塑料
    1.5 本論文的設(shè)計(jì)思想
第二章 CDSE-聚芳醚酮復(fù)合材料的直接分散法制備
    2.1 引言
    2.2 CDSE量子點(diǎn)的制備與表征
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        2.2.2 儀器情況
        2.2.3 CdSe量子點(diǎn)的制備
        2.2.4 結(jié)果與討論
        2.2.5 CdSe聚合物復(fù)合材料的制備和性質(zhì)表征
第三章 CDSE-聚芳醚酮復(fù)合材料的原位法制備
    3.1 引言
    3.2 CDSE量子點(diǎn)與聚合物復(fù)合材料的原位生長(zhǎng)
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        3.2.2 儀器情況
        3.2.3 CdSe量子點(diǎn)與聚合物復(fù)合材料的制備
        3.2.4 結(jié)果與討論
第四章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間研究成果



本文編號(hào)：3738408