鹵化物鈣鈦礦不僅具有光吸收系數(shù)高、激子束縛能低、載流子遷移率高等優(yōu)異的光電性能,而且具有缺陷容忍度高、低溫溶液法生長(zhǎng)、帶隙可調(diào)等傳統(tǒng)半導(dǎo)體不具備的優(yōu)點(diǎn),迅速成為光電領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。在單個(gè)光電器件的基礎(chǔ)上,開(kāi)發(fā)陣列型器件將推動(dòng)鹵化物鈣鈦礦在(柔性)光電器件中的應(yīng)用。但鹵化物鈣鈦礦因?qū)ΤＲ?guī)有機(jī)溶劑較敏感而與現(xiàn)有光刻工藝不兼容,開(kāi)發(fā)適合鹵化物鈣鈦礦的微納制作工藝尤為重要。本文系統(tǒng)歸納了近年鹵化物鈣鈦礦微納陣列制備采用的各種策略和方法,分析了不同方法的優(yōu)缺點(diǎn)和適用性,介紹了鹵化物鈣鈦礦微納陣列在光電領(lǐng)域的應(yīng)用,并對(duì)該領(lǐng)域目前存在的問(wèn)題及發(fā)展前景進(jìn)行了展望,以期為新型鹵化物鈣鈦礦光電器件的研究提供參考。

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【文章目錄】：
1 鹵化物鈣鈦礦微納陣列制備方法
    1.1 模板法(template method)
        1.1.1 Si O2/Si硬模板(SiO2/Si template)
        1.1.2 PDMS模板(PDMS template)
        1.1.3 光刻膠模板(photoresist template)
        1.1.4 單分子層模板(SAM template)
    1.2 直寫(xiě)法(direct writing method)
        1.2.1 激光直寫(xiě)(laser direct writing)
        1.2.2 滾輪印刷(ink roller printing)
        1.2.3 油墨噴印(inkjet printing)
    1.3 制備方法匯總與對(duì)比
2 鹵化物鈣鈦礦微納陣列的應(yīng)用
    2.1 光電探測(cè)器(photodetector)
    2.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field effect transistor,FET)
    2.3 光波導(dǎo)(optical waveguide)
    2.4 激光器(laser)
    2.5 其它應(yīng)用
3 總結(jié)與展望



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