ZnIn 2 S 4 、CdIn 2 S 4 /TiO 2 薄膜的制備及其光電化學性能的研究
發(fā)布時間:2023-02-07 09:14
金屬硫化物光催化劑的帶隙合適,在可見光區(qū)具有較強的光吸收,是很有前景的可見光催化材料,目前對于其研究也不斷深入。因此我們研究了MIn2S4(M=Zn,Cd)型三元硫化物及其復合結構并對其進行分析,這些催化材料表現(xiàn)出很好的化學穩(wěn)定性以及光電化學特性,本論文的主要研究內容如下:1.采用兩步水熱法合成了CdIn2S4/TiO2異質結結構復合薄膜。首先以鹽酸,水,鈦酸四丁酯為源材料得到TiO2納米棒,以納米棒陣列薄膜為反應基底使用CdCl2,InCl3,TAA水熱得到2D CdIn2S4/1D TiO2復合結構,通過前期改變反應時間以及前驅體濃度研究了薄膜的形成機理,并對其光電性能進行研究。2.使用水熱合成法制備出立方相金字塔結構的ZnIn2S4薄膜,使用Zn(NO3)2作為鋅源,InCl<...
【文章頁數(shù)】:56 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
1 緒論
1.1 選題的研究背景及意義
1.2 光催化反應原理
1.3 MIn2S4(M=Zn,Cd)型硫化物催化材料的研究進展
1.3.1 CdIn2S4的性質與研究現(xiàn)狀
1.3.2 ZnIn2S4的簡介及相關研究進展
1.4 本課題的研究內容和創(chuàng)新點
1.4.1 課題研究內容
1.4.2 本文的創(chuàng)新點
2 實驗部分
2.1 實驗試劑及儀器設備
2.2 CdIn2S4/TiO2復合結構薄膜陣列的表征
2.3 ZnIn2S4薄膜的表征
3 CdIn2S4/TiO2異質結復合結構的制備及表征
3.1 引言
3.2 樣品的制備
3.2.1 TiO2納米棒陣列的水熱合成
3.2.2 CdIn2S4納米片/TiO2納米棒復合結構的合成
3.3 TiO2納米棒陣列的表征
3.4 CdIn2S4/TiO2復合結構的結構與形貌表征
3.5 不同反應條件對CdIn2S4/TiO2復合結構形貌的影響
3.5.1 不同生長時間對CdIn2S4/TiO2的形貌的影響
3.5.2 前驅體溶液濃度對CdIn2S4/TiO2復合結構形貌的影響
3.6 不同生長時間的CdIn2S4/TiO2復合結構的光吸收特性
3.7 不同生長時間的CdIn2S4/TiO2復合結構的光電化學特性
3.8 本章小結
4 酒石酸輔助水熱法制備立方相金字塔結構ZnIn2S4薄膜
4.1 引言
4.2 ZnIn2S4薄膜的制備
4.3 ZnIn2S4薄膜的結構表征
4.4 酒石酸對薄膜形貌的影響
4.5 生長時間對薄膜形貌以及相的影響
4.6 ZnIn2S4薄膜的光學吸收特性
4.7 ZnIn2S4薄膜的PEC特性表征
4.8 本章小結
5 結論
參考文獻
作者攻讀碩士學位期間的學術論文目錄
致謝
本文編號:3736815
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【學位級別】:碩士
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摘要
ABSTRACT
1 緒論
1.1 選題的研究背景及意義
1.2 光催化反應原理
1.3 MIn2S4(M=Zn,Cd)型硫化物催化材料的研究進展
1.3.1 CdIn2S4的性質與研究現(xiàn)狀
1.3.2 ZnIn2S4的簡介及相關研究進展
1.4 本課題的研究內容和創(chuàng)新點
1.4.1 課題研究內容
1.4.2 本文的創(chuàng)新點
2 實驗部分
2.1 實驗試劑及儀器設備
2.2 CdIn2S4/TiO2復合結構薄膜陣列的表征
2.3 ZnIn2S4薄膜的表征
3 CdIn2S4/TiO2異質結復合結構的制備及表征
3.1 引言
3.2 樣品的制備
3.2.1 TiO2納米棒陣列的水熱合成
3.2.2 CdIn2S4納米片/TiO2納米棒復合結構的合成
3.3 TiO2納米棒陣列的表征
3.4 CdIn2S4/TiO2復合結構的結構與形貌表征
3.5 不同反應條件對CdIn2S4/TiO2復合結構形貌的影響
3.5.1 不同生長時間對CdIn2S4/TiO2的形貌的影響
3.5.2 前驅體溶液濃度對CdIn2S4/TiO2復合結構形貌的影響
3.6 不同生長時間的CdIn2S4/TiO2復合結構的光吸收特性
3.7 不同生長時間的CdIn2S4/TiO2復合結構的光電化學特性
3.8 本章小結
4 酒石酸輔助水熱法制備立方相金字塔結構ZnIn2S4薄膜
4.1 引言
4.2 ZnIn2S4薄膜的制備
4.3 ZnIn2S4薄膜的結構表征
4.4 酒石酸對薄膜形貌的影響
4.5 生長時間對薄膜形貌以及相的影響
4.6 ZnIn2S4薄膜的光學吸收特性
4.7 ZnIn2S4薄膜的PEC特性表征
4.8 本章小結
5 結論
參考文獻
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致謝
本文編號:3736815
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