Ti O₂納米管陣列較大的禁帶寬度是導(dǎo)致其光催化效率較低的重要原因,采用磁控濺射、陽(yáng)極氧化以及氣氛退火相結(jié)合的方法對(duì)TNAs改性后制備了Au負(fù)載N摻雜Ti O₂納米管陣列（Au@N-TNAs）,然后以甲基橙為目標(biāo)污染物,進(jìn)一步分析了Au@N-TNAs在不同Au負(fù)載量時(shí)光降解效率的變化情況。采用SEM、XRD、TEM和X射線(xiàn)光電子能譜（XPS）等對(duì)Au和N在Au@N-TNAs中的存在形式進(jìn)行表征和分析,發(fā)現(xiàn)Au主要是負(fù)載在Ti O₂納米管陣列上,而N元素則是以摻雜的方式進(jìn)入Ti O₂納米管陣列的晶格中。此外,在光降解試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)通過(guò)Au負(fù)載與N摻雜相結(jié)合的方法對(duì)Ti O₂納米管陣列進(jìn)行復(fù)合改性后,TiO₂納米管陣列的光催化效率得到顯著提升,其中20s-Au@N-TNAs具有最佳的光降解效率。但Ti-N薄膜中間的Au層太厚時(shí)會(huì)影響陽(yáng)極氧化過(guò)程中Ti O₂納米管陣列的生長(zhǎng),而且過(guò)量的Au在退火處理時(shí)很難及時(shí)地?cái)U(kuò)散均勻,進(jìn)而使得改性后的Ti O... 

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 試驗(yàn)
    1.1 Au@N-TNAs的制備
        1.1.1 Ti片預(yù)處理
        1.1.2 Au@N-Ti納米薄膜的制備
        1.1.3 Au@N-TNAs試樣的制備
    1.2 表征與測(cè)試
2 結(jié)果與討論
    2.1 形貌分析
    2.2 物相分析(XRD)
    2.3 TEM分析
    2.4 表面元素價(jià)態(tài)分析
    2.5 光催化性能分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]氮摻雜二氧化鈦復(fù)合催化膜降解甲苯氣體研究[J]. 何奕明,王劍斌,陳洲洋,黎寶仁,張?jiān)倮?樊青娟,魏在山.  環(huán)境科學(xué)學(xué)報(bào). 2016(09)
[2]氨改性二氧化鈦的制備及可見(jiàn)光催化性能研究[J]. 段秋宴,傅敏,蕫帆,皮俊敏,郭寰,劉海濤.  人工晶體學(xué)報(bào). 2013(04)
[3]Si摻雜TiO2納米管陣列制備、表征及其光催化氧化降解室內(nèi)典型VOCs[J]. 鄒學(xué)軍,李新勇,曲振平,王疆疆.  環(huán)境科學(xué). 2011(12)
[4]氧化鋁模板法制備Ce摻雜二氧化鈦納米管[J]. 李華基,孟翠,薛寒松,余國(guó)勛.  鋁加工. 2009(02)



本文編號(hào)：3732083