金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件因其制備簡單,成本低廉,氣敏性能好等優(yōu)點引起了環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。本文以In₂O₃基微納米材料為研究對象,針對氣敏傳感器中目標(biāo)氣體分子的捕獲、氣敏材料表面電子的傳輸、與氣體氧化還原反應(yīng)等過程,對純相In₂O₃材料改性優(yōu)化并進(jìn)行界面調(diào)控,從而提高材料的氣敏性能及表面反應(yīng)效率。通過對氣敏材料的結(jié)構(gòu)、形貌、氣敏性能以及光催化性能等進(jìn)行測試,從而深入研究In₂O₃基微納米材料內(nèi)部的工作機理。本文將通過以下幾個方面來提高In₂O₃材料的氣敏性能:1.Zn摻雜In₂O₃改性制備單分散Zn摻雜In₂O₃納米球,并通過XRD、XPS、SEM等對樣品進(jìn)行了表征。氣敏測試表明Zn摻雜In₂O₃納米球?qū)θ野罚═EA）氣體顯示優(yōu)越的氣敏性能,具有較高靈敏度和較好的選擇性,對50... 

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 前言
    1.2 氣敏傳感器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
        1.2.1 氣敏傳感器的結(jié)構(gòu)組成
        1.2.2 氣敏傳感器的工作原理
    1.3 In_2O_3氣敏傳感器的研究進(jìn)展
    1.4 本論文的研究目的及研究內(nèi)容
第二章 Zn摻雜In_2O_3微納結(jié)構(gòu)的調(diào)控及其光催化和氣敏性質(zhì)的研究
    2.1 Zn摻雜In_2O_3納米球制備及其對三乙胺的氣敏性能和光催化性能研究
        2.1.1 引言
        2.1.2 實驗部分
        2.1.3 結(jié)果與討論
        2.1.4 小結(jié)
    2.2 Zn摻雜對In_2O_3形貌影響及對乙二醇的氣敏性能研究
        2.2.1 引言
        2.2.2 實驗部分
        2.2.3 結(jié)果與討論
        2.2.4 小結(jié)
第三章 ZnO/In_2O_3復(fù)合微納結(jié)構(gòu)的制備及其氣敏性質(zhì)研究
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
    3.3 結(jié)果與討論
    3.4 小結(jié)
第四章 Sn摻雜In_2O_3平板氣敏傳感器的制備及其氣敏性質(zhì)研究
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
    4.3 結(jié)果與討論
    4.4 小結(jié)
第五章 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
附錄


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Zn2SnO4氣敏材料的水熱合成及其摻雜改性[J]. 徐甲強,賈曉華,婁向東,沈嘉年.  傳感技術(shù)學(xué)報. 2005(04)



本文編號：3730847