采用磁控濺射法在玻璃襯底上室溫沉積厚度不同的Bi/Te多層薄膜,在氬氣保護(hù)下對薄膜在150℃進(jìn)行不同時(shí)間退火處理,研究了退火時(shí)間對Bi/Te多層薄膜物相組成、微觀形貌、表面粗糙度和熱電性能的影響。結(jié)果表明:退火過程使Bi、Te原子在相鄰單質(zhì)層界面上產(chǎn)生了強(qiáng)烈的擴(kuò)散反應(yīng),生成以Bi₂Te₃為主相的Bi-Te化合物;隨退火時(shí)間的延長,薄膜的界面空洞增多,表面粗糙度變大。短時(shí)間退火可提高薄膜的熱電性能;而隨退火時(shí)間的延長,量子尺寸效應(yīng)逐漸顯現(xiàn),薄膜的載流子濃度、遷移率、電導(dǎo)率和Seebeck系數(shù)均出現(xiàn)明顯的振蕩現(xiàn)象,沉積的單質(zhì)層越厚,振蕩周期越大。 

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 樣品制備
    1.2 樣品表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 物相分析
    2.2 微觀形貌分析
    2.3 熱電性能分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]退火時(shí)間對銪填充式方鈷礦化合物熱電性能的影響[J]. 萬俊霞,趙雪盈,李小亞,季誠昌,陳立東.  硅酸鹽學(xué)報(bào). 2009(03)
[2]Bi2Te3基p型贗三元熱電材料的熱壓制備及性能[J]. 呂強(qiáng),程穎,程艷,胡建民,王景聚,趙洪安,榮劍英.  硅酸鹽學(xué)報(bào). 2008(05)
[3]Bi-Te基熱電材料的研究進(jìn)展[J]. 馬秋花,孫亞光.  稀有金屬快報(bào). 2007(06)
[4]塊體Bi2Te3基熱電材料性能優(yōu)化及最新進(jìn)展[J]. 樊希安,楊君友,陳柔剛,朱文,鮑思前.  功能材料. 2005(08)

博士論文
[1]碲化鉍基熱電薄膜制備及其熱電性能研究[D]. 穆武第.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009



本文編號：3730181