CuInS 2 /ZnS量子點(diǎn)的合成及在白光LED中的研究
發(fā)布時間:2022-12-23 02:01
與以往的照明技術(shù)相比,白光LED具有體積小、壽命長、效率高、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)點(diǎn),是新一代照明光源的首選。目前主流的白光LED,光源來源于藍(lán)光LED芯片激發(fā)稀土熒光粉。這種傳統(tǒng)的熒光粉轉(zhuǎn)換下的白光LED,由于紅光光譜部分的缺失,導(dǎo)致顯色指數(shù)偏低(通常低于80)、色溫偏高(一般高于5000 K),使其應(yīng)用受限。因此,探索低成本、高效且顯色指數(shù)高的新型熒光材料受到越來越多的關(guān)注。量子點(diǎn)(Quantum Dots,QDs)是一種新型的半導(dǎo)體熒光材料,具有顆粒尺寸。ǹ杀苊夤馍⑸鋯栴})、發(fā)光峰位可調(diào)、色彩飽和度高、可低價溶液加工、熒光效率高等諸多優(yōu)點(diǎn),近年來在背光和照明領(lǐng)域形成研究熱潮,F(xiàn)階段鎘化合物量子點(diǎn)雖然發(fā)展最為成熟,但其高的毒性限制了其應(yīng)用。因此,量子點(diǎn)作為下轉(zhuǎn)換熒光材料需要在提高其熒光量子產(chǎn)率的同時,減小其毒性,發(fā)展新型無毒的量子點(diǎn)材料。CuInS2/ZnS量子點(diǎn)是I-III-VI族重要的半導(dǎo)體材料,具有低毒、顆粒尺寸小、發(fā)光峰位可調(diào)、半峰寬較寬等優(yōu)勢。但目前基于CuInS2/ZnS量子點(diǎn)構(gòu)筑的白光器件,在具有較高顯色指數(shù)的同時,相關(guān)色溫高于...
【文章頁數(shù)】:79 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)
1.2.1 量子點(diǎn)概況
1.2.2 量子點(diǎn)的性質(zhì)
1.2.3 量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)理
1.3 量子點(diǎn)的合成
1.3.1 量子點(diǎn)的合成方法
1.3.2 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)合成的研究現(xiàn)狀
1.4 量子點(diǎn)在LED中的應(yīng)用
1.4.1 量子點(diǎn)在LED中應(yīng)用的研究現(xiàn)狀
1.4.2 量子點(diǎn)在白光LED中的應(yīng)用
1.5 目前存在問題
1.6 論文研究思路及內(nèi)容
1.6.1 研究思路
1.6.2 研究內(nèi)容
第二章 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)的合成及其性能研究
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑和表征儀器
2.2.2 實(shí)驗(yàn)過程
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 銅銦比的影響
2.3.2 成核溫度的影響
2.3.3 殼層厚度的影響
2.3.4 油酸用量的影響
2.4 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)的XPS表征
2.5 本章小結(jié)
第三章 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)熒光薄膜的制備及應(yīng)用
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑及材料
3.2.2 紅光CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)環(huán)氧樹脂薄膜的制備
3.2.3 白光器件的構(gòu)筑
3.2.4 實(shí)驗(yàn)表征儀器
3.3 白光器件的性能表征
3.4 本章小結(jié)
第四章 量子點(diǎn)與熒光粉混合型白光器件的構(gòu)筑
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑及材料
4.2.2 白光器件的構(gòu)筑
4.2.3 實(shí)驗(yàn)表征儀器
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 熒光粉及量子點(diǎn)相關(guān)性質(zhì)
4.3.2 白光器件的性能表征
4.4 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
總結(jié)
展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的科研成果
致謝
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Toward commercial realization of quantum dot based white light-emitting diodes for general illumination[J]. KEN T.SHIMIZU,MARCEL B?HMER,DANIEL ESTRADA,SUMIT GANGWAL,STEFAN GRABOWSKI,HELMUT BECHTEL,EDWARD KANG,KENNETH J.VAMPOLA,DANIELLE CHAMBERLIN,OLEG B.SHCHEKIN,JYOTI BHARDWAJ. Photonics Research. 2017(02)
[2]Colloidal quantum-dots surface and device structure engineering for high-performance light-emitting diodes[J]. Yuequn Shang,Zhijun Ning. National Science Review. 2017(02)
本文編號:3724484
【文章頁數(shù)】:79 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)
1.2.1 量子點(diǎn)概況
1.2.2 量子點(diǎn)的性質(zhì)
1.2.3 量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)理
1.3 量子點(diǎn)的合成
1.3.1 量子點(diǎn)的合成方法
1.3.2 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)合成的研究現(xiàn)狀
1.4 量子點(diǎn)在LED中的應(yīng)用
1.4.1 量子點(diǎn)在LED中應(yīng)用的研究現(xiàn)狀
1.4.2 量子點(diǎn)在白光LED中的應(yīng)用
1.5 目前存在問題
1.6 論文研究思路及內(nèi)容
1.6.1 研究思路
1.6.2 研究內(nèi)容
第二章 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)的合成及其性能研究
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑和表征儀器
2.2.2 實(shí)驗(yàn)過程
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 銅銦比的影響
2.3.2 成核溫度的影響
2.3.3 殼層厚度的影響
2.3.4 油酸用量的影響
2.4 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)的XPS表征
2.5 本章小結(jié)
第三章 CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)熒光薄膜的制備及應(yīng)用
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑及材料
3.2.2 紅光CuInS_2/ZnS量子點(diǎn)環(huán)氧樹脂薄膜的制備
3.2.3 白光器件的構(gòu)筑
3.2.4 實(shí)驗(yàn)表征儀器
3.3 白光器件的性能表征
3.4 本章小結(jié)
第四章 量子點(diǎn)與熒光粉混合型白光器件的構(gòu)筑
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑及材料
4.2.2 白光器件的構(gòu)筑
4.2.3 實(shí)驗(yàn)表征儀器
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 熒光粉及量子點(diǎn)相關(guān)性質(zhì)
4.3.2 白光器件的性能表征
4.4 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
總結(jié)
展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的科研成果
致謝
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Toward commercial realization of quantum dot based white light-emitting diodes for general illumination[J]. KEN T.SHIMIZU,MARCEL B?HMER,DANIEL ESTRADA,SUMIT GANGWAL,STEFAN GRABOWSKI,HELMUT BECHTEL,EDWARD KANG,KENNETH J.VAMPOLA,DANIELLE CHAMBERLIN,OLEG B.SHCHEKIN,JYOTI BHARDWAJ. Photonics Research. 2017(02)
[2]Colloidal quantum-dots surface and device structure engineering for high-performance light-emitting diodes[J]. Yuequn Shang,Zhijun Ning. National Science Review. 2017(02)
本文編號:3724484
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/3724484.html
最近更新
教材專著