硒化銦（化學(xué)式為:In₂Se₃）是一類重要的III-VI族直接帶隙層狀半導(dǎo)體材料,現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)五種主要晶相,分別是:α、β、γ、δ和κ。硒化銦薄膜材料已在太陽能電池、光電檢測、相變存儲器件等方面得到廣泛應(yīng)用。由于硒化銦薄膜在生長過程中容易隨溫度的變化發(fā)生相變,從而使得生長單晶硒化銦薄膜相對困難,傳統(tǒng)采用的制備技術(shù)手段包括:磁控濺射法、源共蒸法、化學(xué)浴沉積法、固相反應(yīng)法、金屬有機化學(xué)氣相沉積法、電沉積法、溶膠-凝膠法。然而這些方法很難生長出高質(zhì)量單晶薄膜。目前已報道能制備出In₂Se₃全部五種主要晶相的薄膜生長技術(shù)為分子束外延,但是分子束外延方法生長In₂Se₃的許多基礎(chǔ)性問題尚未得到充分探索。另一方面,由于現(xiàn)有方法制備的In₂Se₃薄膜質(zhì)量不高,制約了對In₂Se₃本征物性的深入研究,進一步影響了In₂Se₃的應(yīng)用。因此本文將圍繞... 

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 課題研究背景及意義
    1.2 In_2Se_3 研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
        1.2.1 In_2Se_3 晶體結(jié)構(gòu)
        1.2.2 In_2Se_3 的制備研究進展
        1.2.3 In_2Se_3 的應(yīng)用研究進展
        1.2.4 In_2Se_3 的發(fā)展趨勢
    1.3 本論文主要研究內(nèi)容及結(jié)構(gòu)安排
第二章 實驗原理與實驗方法
    2.1 實驗設(shè)備及實驗材料
        2.1.1 實驗設(shè)備
        2.1.2 實驗材料
    2.2 材料制備方法
        2.2.1 超高真空基礎(chǔ)
        2.2.2 分子束外延生長技術(shù)
    2.3 薄膜材料結(jié)構(gòu)及物性表征方法
        2.3.1 高分辨率X射線衍射術(shù)(HRXRD)
        2.3.2 反射式高能電子衍射術(shù)(RHEED)
        2.3.3 掃描電子顯微術(shù)(SEM)
        2.3.4 拉曼光譜分析
        2.3.5 掃描隧道顯微術(shù)(STM)
第三章 In_2Se_3 的分子束外延生長
    3.1 引言
    3.2 In_2Se_3 分子束外延動力學(xué)基礎(chǔ)
        3.2.1 Se/In束流比
        3.2.2 襯底溫度
        3.2.3 生長速率
    3.3 H-Si(111)襯底上In_2Se_3 薄膜的外延生長
        3.3.1 清潔H-Si(111)襯底的獲得
        3.3.2 H-Si(111)襯底上In_2Se_3 薄膜的生長演化
        3.3.3 H-Si(111)襯底上In_2Se_3 薄膜的結(jié)構(gòu)表征
    3.4 氟晶云母襯底上In_2Se_3 薄膜的外延生長
        3.4.1 清潔氟晶云母襯底的獲得
        3.4.2 氟晶云母襯底上In_2Se_3 薄膜的生長演化
        3.4.3 氟晶云母襯底上In_2Se_3 薄膜的結(jié)構(gòu)表征
    3.5 本章小結(jié)
第四章 In_2Se_3 薄膜材料的物性研究
    4.1 引言
    4.2 In_2Se_3 薄膜材料的光電特性研究
        4.2.1 In_2Se_3 薄膜典型光電I-V特性分析
        4.2.2 In_2Se_3 薄膜太陽能光電池模擬分析
        4.2.3 In_2Se_3 薄膜光透過率分析
    4.3 In_2Se_3 薄膜材料的鐵電特性研究
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 實驗結(jié)論與創(chuàng)新點
    5.2 實驗工作展望
致謝
參考文獻
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻】：
博士論文
[1]層狀硫系化合物薄膜與量子結(jié)構(gòu)的生長動力學(xué)與物性研究[D]. 高磊.電子科技大學(xué) 2016



本文編號：3711128