金剛石薄膜因其優(yōu)異的物理化學特性引起了學者們的廣泛關注。近年來許多研究發(fā)現(xiàn)利用CO₂/CH₄或Ar/CO₂/CH₄等體系的貧氫氣氛下也可制備得到金剛石薄膜,特別是利用CO₂/CH₄和CO₂/CH₄/N₂體系制備的金剛石薄膜更有利于細化晶粒并能有效提高薄膜的電化學性能,因而研究在CO₂/CH₄和CO₂/CH₄/N₂體系中金剛石薄膜的生長規(guī)律具有重要意義。針對貧氫環(huán)境下的沉積特點,本文具體研究金剛石膜的結構、質量以及電化學性能在CO₂/CH₄和CO₂/CH₄/N₂體系中受工藝條件的影響規(guī)律,以期制備出一種具有良好導電性和高機械強度的納米金剛石薄膜,為納米金剛石電極材料的制備提供了... 

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【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 MPCVD法制備金剛石薄膜
        1.1.1 MPCVD金剛石薄膜的生長機理
        1.1.2 納米金剛石薄膜的生長機理
        1.1.3 CO_2/CH_4 體系納米金剛石薄膜的生長機理
    1.2 貧氫氣氛制備金剛石薄膜的研究與應用
        1.2.1 國外貧氫氣氛制備金剛石薄膜研究進展
        1.2.2 我國貧氫氣氛制備金剛石薄膜研究進展
        1.2.3 貧氫氣氛制備金剛石薄膜的研究基礎
        1.2.4 貧氫氣氛制備金剛石薄膜在電極材料方面的應用
    1.3 本文的研究意義
    1.4 本文的研究內容
第2章 實驗設備與表征手段
    2.1 WOOSINENT-R2.0型MPCVD裝置
        2.1.1 WOOSINENT-R2.0型MPCVD裝置結構特點
        2.1.2 WOOSINENT-R2.0型MPCVD裝置工作原理
    2.2 樣品薄膜的表征方法
        2.2.1 光學金相顯微鏡
        2.2.2 掃描電子顯微鏡
        2.2.3 激光拉曼光譜
        2.2.4 原子力顯微鏡
        2.2.5 透射電子顯微鏡
第3章 貧氫環(huán)境下低濃度CO_2 對納米金剛石膜生長的影響
    3.1 對低濃度CO_2 下納米金剛石膜生長結構的研究
        3.1.1 低濃度CO_2 貧氫環(huán)境下納米金剛石膜的表面形貌變化
        3.1.2 不同CO_2 濃度對金剛石薄膜質量的影響
    3.2 針狀納米金剛石薄膜的微觀結構
    3.3 針狀納米金剛石薄膜的比表面積
    3.4 針狀納米金剛石薄膜的電化學性能
    3.5 本章小結
第4章 氮氣對低濃度二氧化碳下生長金剛石薄膜的影響
    4.1 引言
    4.2 中間濃度氮氣對金剛石膜結構性能的影響
    4.3 高濃度氮氣對金剛石薄膜的結構性能的影響
    4.4 本章小結
第5章 全文總結與展望
    5.1 全文總結
    5.2 展望
參考文獻
攻讀碩士期間已發(fā)表的論文
致謝



本文編號：3696462