發(fā)布時間：2022-10-22 16:39

　　金剛石薄膜因其優(yōu)異的物理化學(xué)特性引起了學(xué)者們的廣泛關(guān)注。近年來許多研究發(fā)現(xiàn)利用CO₂/CH₄或Ar/CO₂/CH₄等體系的貧氫氣氛下也可制備得到金剛石薄膜,特別是利用CO₂/CH₄和CO₂/CH₄/N₂體系制備的金剛石薄膜更有利于細(xì)化晶粒并能有效提高薄膜的電化學(xué)性能,因而研究在CO₂/CH₄和CO₂/CH₄/N₂體系中金剛石薄膜的生長規(guī)律具有重要意義。針對貧氫環(huán)境下的沉積特點,本文具體研究金剛石膜的結(jié)構(gòu)、質(zhì)量以及電化學(xué)性能在CO₂/CH₄和CO₂/CH₄/N₂體系中受工藝條件的影響規(guī)律,以期制備出一種具有良好導(dǎo)電性和高機械強度的納米金剛石薄膜,為納米金剛石電極材料的制備提供了... 

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 MPCVD法制備金剛石薄膜
        1.1.1 MPCVD金剛石薄膜的生長機理
        1.1.2 納米金剛石薄膜的生長機理
        1.1.3 CO_2/CH_4 體系納米金剛石薄膜的生長機理
    1.2 貧氫氣氛制備金剛石薄膜的研究與應(yīng)用
        1.2.1 國外貧氫氣氛制備金剛石薄膜研究進(jìn)展
        1.2.2 我國貧氫氣氛制備金剛石薄膜研究進(jìn)展
        1.2.3 貧氫氣氛制備金剛石薄膜的研究基礎(chǔ)
        1.2.4 貧氫氣氛制備金剛石薄膜在電極材料方面的應(yīng)用
    1.3 本文的研究意義
    1.4 本文的研究內(nèi)容
第2章 實驗設(shè)備與表征手段
    2.1 WOOSINENT-R2.0型MPCVD裝置
        2.1.1 WOOSINENT-R2.0型MPCVD裝置結(jié)構(gòu)特點
        2.1.2 WOOSINENT-R2.0型MPCVD裝置工作原理
    2.2 樣品薄膜的表征方法
        2.2.1 光學(xué)金相顯微鏡
        2.2.2 掃描電子顯微鏡
        2.2.3 激光拉曼光譜
        2.2.4 原子力顯微鏡
        2.2.5 透射電子顯微鏡
第3章 貧氫環(huán)境下低濃度CO_2 對納米金剛石膜生長的影響
    3.1 對低濃度CO_2 下納米金剛石膜生長結(jié)構(gòu)的研究
        3.1.1 低濃度CO_2 貧氫環(huán)境下納米金剛石膜的表面形貌變化
        3.1.2 不同CO_2 濃度對金剛石薄膜質(zhì)量的影響
    3.2 針狀納米金剛石薄膜的微觀結(jié)構(gòu)
    3.3 針狀納米金剛石薄膜的比表面積
    3.4 針狀納米金剛石薄膜的電化學(xué)性能
    3.5 本章小結(jié)
第4章 氮氣對低濃度二氧化碳下生長金剛石薄膜的影響
    4.1 引言
    4.2 中間濃度氮氣對金剛石膜結(jié)構(gòu)性能的影響
    4.3 高濃度氮氣對金剛石薄膜的結(jié)構(gòu)性能的影響
    4.4 本章小結(jié)
第5章 全文總結(jié)與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間已發(fā)表的論文
致謝



本文編號：3696462