隨著5G時(shí)代的來(lái)臨,超大規(guī)模集成電路與微電子工業(yè)迅速發(fā)展,迫切要求器件特征尺寸逐漸減小即電路集成度越高的同時(shí),也帶來(lái)了信號(hào)傳輸串?dāng)_、互連電阻–電容延遲等一系列新的技術(shù)問(wèn)題。目前5G用高性能低介電甚至超低介電材料的開(kāi)發(fā),已成為微電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。多孔聚酰亞胺材料可以兼具聚酰亞胺材料優(yōu)異的耐溫性、絕緣性和機(jī)械性能以及多孔材料的介電常數(shù)低、質(zhì)量輕、密度小等諸多優(yōu)點(diǎn),在電力電子器件、航空航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)有前景。為此從本構(gòu)多孔、致生多孔、填料復(fù)合致孔、介孔氣凝膠等方面詳細(xì)地論述了多孔聚酰亞胺材料的研發(fā)機(jī)理和制備工藝,總結(jié)了當(dāng)前多孔聚酰亞胺材料研究存在的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題及面臨的挑戰(zhàn),并展望了5G用低介電聚酰亞胺薄膜未來(lái)的發(fā)展方向。 

【文章頁(yè)數(shù)】：13 頁(yè)

【文章目錄】：
0引言
1 多孔材料概述
2 本構(gòu)多孔聚酰亞胺
3 致生多孔聚酰亞胺
    3.1 相分離法
    3.2 超臨界二氧化碳發(fā)泡法
    3.3 熱降解法
    3.4 化學(xué)溶劑法
4 復(fù)合型多孔聚酰亞胺
    4.1 多孔二氧化硅--PI復(fù)合材料
        4.1.1 介孔Si O2–PI
        4.1.2 Si O2空心球–PI
        4.1.3 Si O2空心管–PI
    4.2 POSS--PI復(fù)合材料
    4.3 沸石--PI復(fù)合材料
    4.4 其他填料
5 介孔氣凝膠聚酰亞胺
6 總結(jié)及展望


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]熱塑性聚酰亞胺超臨界二氧化碳的微孔發(fā)泡研究[D]. 王斌榕.華東理工大學(xué) 2016
[3]多孔低介電聚酰亞胺薄膜的制備及其性能表征[D]. 劉俊凱.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015
[4]聚酰亞胺/介孔分子篩低介電常數(shù)復(fù)合薄膜的制備及性能研究[D]. 馬蘭杰.北京化工大學(xué) 2008



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