用磁控濺射方法制備Ta/CoFe/Fe/Au/Fe/IrMn/Ta和Ta/CoFe1/Au/CoFe2/IrMn/Ta兩種多層膜結(jié)構(gòu)的自旋閥,并優(yōu)化各功能層的濺射參數(shù)有效調(diào)控了磁化翻轉(zhuǎn)場和磁電阻特性。根據(jù)TEM確定了樣品多層膜的微觀結(jié)構(gòu)和膜厚,使用VSM和加磁場四探針法分別測量了樣品的磁滯回線和磁電阻（MR）特性曲線。結(jié)果表明,樣品中隔離層Au的厚度與MR值之間存在振蕩衰減的關(guān)系;而釘扎層、自由層和被釘扎層的厚度直接影響各膜層的矯頑力和飽和磁化強(qiáng)度等磁學(xué)性能,進(jìn)而改變MR值。各層厚度為6/6/3.8/6/9/6 nm的Ta/CoFe1/Au/CoFe2/IrMn/Ta結(jié)構(gòu)自旋閥,具有最佳的MR值。 

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)方法
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
    2.1 樣品I的自旋閥結(jié)構(gòu)
    2.2 隔離層(Au)對自旋閥MR的影響
    2.3 釘扎層(IrMn)對自旋閥MR的影響
    2.4 自由層(CoFe1)和被釘扎層(CoFe2)對自旋閥MR的影響
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]利用被釘扎層調(diào)控自旋閥的磁電阻值[J]. 高曉平,宋玉哲,韓根亮,張彪,劉肅.  甘肅科學(xué)學(xué)報(bào). 2014(03)
[2]基于巨磁電阻效應(yīng)的電流傳感器技術(shù)及在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用前景[J]. 何金良,嵇士杰,劉俊,胡軍,王善祥.  電網(wǎng)技術(shù). 2011(05)
[3]基于GMR效應(yīng)的新型生物傳感器研究[J]. 張超奇,周非,曲炳郡,任天令,劉理天.  微納電子技術(shù). 2007(Z1)



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