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第三主族單硫化合物的第一性原理研究

發(fā)布時(shí)間:2022-09-27 12:42
  英國(guó)的物理學(xué)家Geim和Novoselov等人使用膠帶用機(jī)械剝離的方法在2004年首次合成了石墨烯。石墨烯,它是由碳原子構(gòu)成的二維納米材料并且它具有很多的卓越性質(zhì),吸引了科學(xué)家的許多關(guān)注。隨后,其它的二維材料(2D),如氮化硼(BN)、過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDs)、二維金屬氧化物、磷烯、鍺烯等也在實(shí)驗(yàn)上陸續(xù)被合成。除此之外,人們通過(guò)構(gòu)造縱向、橫向異質(zhì)結(jié)、表面改性、摻雜其他原子等方法使得二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)更加豐富。這些二維材料具有量子效應(yīng)好、力學(xué)強(qiáng)度高、透明性好、比表面積大、活性位點(diǎn)比較多、易于改性等優(yōu)點(diǎn)。它們?cè)诠獯呋㈦娙萜、傳感器等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力,值得我們進(jìn)行更深入的研究。第三主族單硫化合物(MX:M=Ga、In,X=S Se Te)是一種具有蜂窩結(jié)構(gòu)的新型層狀材料,具有非常優(yōu)良的性質(zhì)。這些二維材料帶隙在2.30-3.40 e V之間,并且隨著層數(shù)的增加帶隙開(kāi)始下降到0.97-3.05 e V范圍內(nèi)。另外它的載流子遷移率也是極高的,例如,對(duì)于體塊材料Ga S和Ga Se對(duì)應(yīng)的載流子遷移率分別是80 cm2V-1s-1,215 cm2V-1s-1,而單層In Se則... 

【文章頁(yè)數(shù)】:61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 氣體傳感器的發(fā)展概況
    1.3 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展
    1.4 本文的主要研究?jī)?nèi)容
第2章 基本計(jì)算理論
    2.1 引言
    2.2 密度泛函理論
        2.2.1 Kohn‐Sham方程:有效單體理論
        2.2.2 交換關(guān)聯(lián)泛函
    2.3 電子能量損失譜
    2.4 計(jì)算步驟
第3章 吸附模型的基本性質(zhì)
    3.1 引言
    3.2 .JANUS吸附模型的建立
    3.3 .吸附模型的基本性質(zhì)
    3.4 .吸附模型的輸運(yùn)性質(zhì)
    3.5 本章小結(jié)
第4章 極性二維基底對(duì)硅電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控
    4.1 .引言
    4.2 .硅烯/JANUS范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)的建立
    4.3 .SI/JANUS VDW異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)的調(diào)制
    4.4 電子能量損失譜
    4.5 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文及其它成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]二維材料雙電層場(chǎng)晶體管的研究[J]. 何學(xué)俠,劉富才,曾慶圣,劉政.  化學(xué)學(xué)報(bào). 2015(09)
[2]硅烯:一種新型的二維狄拉克電子材料[J]. 陳嵐,吳克輝.  物理. 2013(09)
[3]NiO(CoO)/N-SrTiO3異質(zhì)結(jié)型復(fù)合光催化劑的制備及模擬太陽(yáng)光催化產(chǎn)氫[J]. 閻建輝,張麗,朱裔榮,唐有根,楊海華.  無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2009(04)
[4]納米異質(zhì)結(jié)光催化材料在環(huán)境污染控制領(lǐng)域的研究進(jìn)展[J]. 于洪濤,全燮.  化學(xué)進(jìn)展. 2009(Z1)
[5]N摻雜p-型ZnO的第一性原理計(jì)算[J]. 陳琨,范廣涵,章勇,丁少鋒.  物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2008(01)
[6]高效率n-nc-Si:H/p-c-Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池[J]. 張群芳,朱美芳,劉豐珍,周玉琴.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2007(01)
[7]異質(zhì)結(jié)型光催化膜的活性及其機(jī)理研究[J]. 林熙,李旦振,吳清萍,付賢智,王緒緒.  高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào). 2005(04)

碩士論文
[1]納米MoS2的制備及MoS2/Al的I-V性能研究[D]. 郭新江.河南工業(yè)大學(xué) 2013



本文編號(hào):3681081

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