基于過渡金屬硫族化合物的二維材料異質(zhì)結(jié),由于其在下一代高性能集成光電子器件中的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注.雖然目前異質(zhì)結(jié)制備很廣泛,但是外延生長具有干凈銳利界面的原子級別厚度金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)仍然備受挑戰(zhàn).另外,基于金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光電性能還鮮有研究.這里,我們報道了高質(zhì)量垂直金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的合成,其中金屬性質(zhì)的單層NbS₂外延生長于單層MoS₂表層.使用NbS₂作為電極接觸的MoS₂晶體管,其遷移率和電流開關(guān)比相對于Ti/Au接觸的MoS₂晶體管分別提升了6倍和2個數(shù)量級.另外,基于NbS₂作為電極接觸的MoS₂光電探測器,其響應(yīng)時間和光響應(yīng)可以分別提升至少30倍和20倍.本工作通過簡單的化學(xué)氣相沉積（CVD）方法制備的原子級別厚度的金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)和二維金屬材料在接觸方面的作用為其在光電子器件中的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ). 

【文章頁數(shù)】：24 頁


本文編號：3661046