基于金屬基復合材料的硅通孔熱應力仿真分析
發(fā)布時間:2022-07-12 15:40
硅通孔(TSV)技術是三維集成電路中的關鍵技術,對信號傳輸以及熱量的傳導起到關鍵的作用,其熱可靠性的問題一直都是研究熱點。基于Comsol Mulitiphsics平臺,通過有限元仿真分析,研究了金屬基復合材料對TSV熱應力的影響。并進一步研究了在不同通孔直徑以及不同TSV高度下,碳納米管(CNTs)、碳納米管鋁(CNTs/Al)以及碳納米纖維銅(CNFs/Cu)等復合材料和傳統(tǒng)金屬材料的等效熱應力情況。結果表明:與傳統(tǒng)金屬材料相比,金屬基復合材料CNTs/Al以及CNFs/Cu均能有效降低TSV的熱應力,提高TSV的熱可靠性;并且對于CNTs含量不同的金屬基復合材料,其TSV的等效熱應力也會有所不同,需綜合考慮合理選擇CNTs的含量。
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
圓柱型TSV簡化模型
網格劃分后的TSV模型
不同金屬層填充材料的熱應力仿真圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]硅通孔形狀和填充材料對熱應力的影響[J]. 魏麗,陸向寧,郭玉靜. 南京理工大學學報. 2018(03)
[2]多種結構硅通孔熱應力仿真分析[J]. 薛彤,張國華,楊軼博. 微電子學. 2015(06)
本文編號:3659393
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
圓柱型TSV簡化模型
網格劃分后的TSV模型
不同金屬層填充材料的熱應力仿真圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]硅通孔形狀和填充材料對熱應力的影響[J]. 魏麗,陸向寧,郭玉靜. 南京理工大學學報. 2018(03)
[2]多種結構硅通孔熱應力仿真分析[J]. 薛彤,張國華,楊軼博. 微電子學. 2015(06)
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