基于分子動(dòng)力學(xué)模擬的納米多晶α-碳化硅變形機(jī)制
發(fā)布時(shí)間:2022-02-23 21:32
在考慮晶界和溫度效應(yīng)影響的條件下,基于分子動(dòng)力學(xué)法使用Vashishta勢(shì)函數(shù)研究多晶α-碳化硅基體在納米壓痕作用下的塑性變形機(jī)制,分析載荷位移曲線并通過(guò)識(shí)別變形結(jié)構(gòu)描述了變形區(qū)域中的原子破壞和遷移軌跡變化。在下壓過(guò)程中,因接觸載荷不斷增大在接觸區(qū)的晶粒內(nèi)產(chǎn)生無(wú)定型化相變并不斷向晶體內(nèi)部擴(kuò)展,擴(kuò)展到晶界處被阻礙住。隨著載荷的持續(xù)增大,晶界作為位錯(cuò)發(fā)射源在高應(yīng)力水平下出現(xiàn)1/2〈110〉全位錯(cuò)滑移。同時(shí),隨著溫度的升高α-碳化硅多晶的承載能力下降,特別是材料內(nèi)部出現(xiàn)塑性變形,位錯(cuò)從晶界處形核長(zhǎng)大并向晶體內(nèi)部擴(kuò)展,最后形成‘U型’位錯(cuò)環(huán)。
【文章來(lái)源】:材料研究學(xué)報(bào). 2020,34(08)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)
【文章目錄】:
1 分子動(dòng)力學(xué)建模和計(jì)算
1.1 MD模型的建立
1.2 MD模擬計(jì)算
1.2.1 基本原理和計(jì)算方法
1.2.2 原子間的勢(shì)函數(shù)
1.2.3 局部結(jié)構(gòu)變形的識(shí)別方法
2 結(jié)果和分析
2.1 多晶α-碳化硅變形機(jī)制分析
2.2 溫度效應(yīng)對(duì)多晶α-碳化硅變形機(jī)制的影響
3 結(jié)論
本文編號(hào):3641365
【文章來(lái)源】:材料研究學(xué)報(bào). 2020,34(08)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)
【文章目錄】:
1 分子動(dòng)力學(xué)建模和計(jì)算
1.1 MD模型的建立
1.2 MD模擬計(jì)算
1.2.1 基本原理和計(jì)算方法
1.2.2 原子間的勢(shì)函數(shù)
1.2.3 局部結(jié)構(gòu)變形的識(shí)別方法
2 結(jié)果和分析
2.1 多晶α-碳化硅變形機(jī)制分析
2.2 溫度效應(yīng)對(duì)多晶α-碳化硅變形機(jī)制的影響
3 結(jié)論
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