在考慮晶界和溫度效應(yīng)影響的條件下,基于分子動力學(xué)法使用Vashishta勢函數(shù)研究多晶α-碳化硅基體在納米壓痕作用下的塑性變形機制,分析載荷位移曲線并通過識別變形結(jié)構(gòu)描述了變形區(qū)域中的原子破壞和遷移軌跡變化。在下壓過程中,因接觸載荷不斷增大在接觸區(qū)的晶粒內(nèi)產(chǎn)生無定型化相變并不斷向晶體內(nèi)部擴展,擴展到晶界處被阻礙住。隨著載荷的持續(xù)增大,晶界作為位錯發(fā)射源在高應(yīng)力水平下出現(xiàn)1/2〈110〉全位錯滑移。同時,隨著溫度的升高α-碳化硅多晶的承載能力下降,特別是材料內(nèi)部出現(xiàn)塑性變形,位錯從晶界處形核長大并向晶體內(nèi)部擴展,最后形成‘U型’位錯環(huán)。 

【文章來源】：材料研究學(xué)報. 2020,34(08)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 分子動力學(xué)建模和計算
    1.1 MD模型的建立
    1.2 MD模擬計算
        1.2.1 基本原理和計算方法
        1.2.2 原子間的勢函數(shù)
        1.2.3 局部結(jié)構(gòu)變形的識別方法
2 結(jié)果和分析
    2.1 多晶α-碳化硅變形機制分析
    2.2 溫度效應(yīng)對多晶α-碳化硅變形機制的影響
3 結(jié)論



本文編號：3641365