采用溶膠凝膠-沉淀法,制備了摻雜Eu³⁺的ZnO_1-xS_x-SiO₂發(fā)光材料,通過(guò)紅外光譜、XRD、TEM、EDS以及激發(fā)光譜、發(fā)射光譜研究了材料的結(jié)構(gòu)與發(fā)光性能,重點(diǎn)研究了SiO₂的引入對(duì)發(fā)光材料發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明:材料中主要存在Si-O-Si鍵、Zn-S鍵和Si-O₄基團(tuán),引入SiO₂能改善材料的發(fā)光性能。并確定材料制備時(shí)最佳退火溫度為800℃,當(dāng)材料中S的含量為2.4at%,材料的最佳激發(fā)波長(zhǎng)為395 nm。最后依據(jù)結(jié)構(gòu)解釋了材料的發(fā)光機(jī)理。 

【文章來(lái)源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引 言
1 實(shí) 驗(yàn)
    1.1 設(shè)備與試劑
    1.2 樣品的制備
2 結(jié)果與討論
    2.1 ZnO1-xSx-SiO2∶Eu3+材料的發(fā)光性能
        2.1.1 SiO2對(duì)ZnO1-xSx∶Eu3+材料發(fā)光性能的影響
        2.1.2 鋅與硅不同摩爾比對(duì)材料發(fā)光性能的影響
        2.1.3 退火溫度對(duì)發(fā)光材料發(fā)光性能的影響
    2.2 Eu3+∶ZnO1-xSx-SiO2材料的結(jié)構(gòu)研究
        2.2.1 XRD分析
        2.2.2 TEM與EDS分析
        2.2.3 IR譜圖
        2.2.4 SiO2影響ZnO1-xSx∶Eu3+(10at%)發(fā)光材料機(jī)理
3 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3631746