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CdS和AZO薄膜的磁控濺射法制備及太陽(yáng)電池應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2022-02-14 19:40
  面對(duì)日益嚴(yán)峻的全球能源危機(jī)問(wèn)題,太陽(yáng)能作為一種清潔、可再生的能源備受關(guān)注。CdS薄膜與太陽(yáng)光的光譜匹配較好、AZO薄膜在可見(jiàn)光范圍內(nèi)有高透過(guò)率和低電阻率等特點(diǎn)在太陽(yáng)電池中具有廣泛的應(yīng)用。本文采用磁控濺射法在玻璃襯底上分別制備了CdS薄膜和AZO薄膜,并使用XRD、SEM、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)等測(cè)量?jī)x器表征薄膜性能。通過(guò)研究襯底溫度、濺射壓強(qiáng)和濺射功率對(duì)薄膜性能的影響,得到最佳制備工藝。在單層薄膜的研究基礎(chǔ)上,制備了AZO/CdS/P-Si太陽(yáng)電池。本文研究發(fā)現(xiàn),在0.44-5.1Pa壓強(qiáng)下CdS薄膜都具有六方(102)擇優(yōu)取向,在550 nm-800nm波段薄膜的透射率均大于70%,隨著壓強(qiáng)的增大薄膜吸收邊向短波方向移動(dòng),暗電導(dǎo)率隨著壓強(qiáng)的增大而增大,但過(guò)高的壓強(qiáng)會(huì)使薄膜表面出現(xiàn)孔洞且性能變差;改變溫度的大小對(duì)薄膜的六方(102)峰擇優(yōu)取向影響較大,隨著襯底溫度的升高,CdS薄膜的結(jié)構(gòu)變得穩(wěn)定,暗電導(dǎo)率增大,且有較高的透射率,均保持在80%以上。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看,不同ZnO和Al濺射功率之比下采用共濺射法制備的AZO薄膜均有(005)擇優(yōu)取向且有較高的透過(guò)率,濺射功率之比為120:8時(shí),薄... 

【文章來(lái)源】:暨南大學(xué)廣東省211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】:59 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【圖文】:

CdS和AZO薄膜的磁控濺射法制備及太陽(yáng)電池應(yīng)用


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圖 1-3 理想 PN 結(jié)太陽(yáng)電池的等效電路圖 圖 1-4 實(shí)際 PN 結(jié)太陽(yáng)電池的等效電太陽(yáng)電池的 I-V 特性(即伏安特性)可由肖克萊方程[3,9]表示:(exp1)0 kTqVIIIIIIphDshph(1其中 I0是二極管的飽和電流,k 為玻爾茲曼常數(shù),T 為溫度,q 為電子電量。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[6]碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池中的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題研究[J]. 王德亮,白治中,楊瑞龍,侯澤榮.  物理. 2013(05)
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碩士論文
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[2]射頻磁控濺射法制備CdO/CdTe薄膜太陽(yáng)能電池[D]. 王國(guó)昌.杭州電子科技大學(xué) 2011
[3]磁控濺射制備ZnO薄膜的研究[D]. 史君黛.暨南大學(xué) 2011
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本文編號(hào):3625153

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