以CaCu₃Ti₄O₁₂為原料,采用溶膠-凝膠法制備CaCu₃Ti_4-3/4zFe_zO₁₂ （CCTFO）和Ca_1-3/2xLa_xCu_3-y Mg_yTi₄O₁₂（CLCMTO）前驅(qū)粉體,以聚偏氟乙烯（PVDF）為基體采用球磨共混法熱壓制備CaCu₃Ti_4-3/4zFe_zO₁₂（CCTFO）/PVDF和Ca_1-3/2xLa_xCu_3-yMg_yTi₄O₁₂（CLCMTO）/PVDF復(fù)合材料,考察摻雜量和前驅(qū)粉體填充質(zhì)量對復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)和介電性能的影響。結(jié)果表明:當(dāng)前驅(qū)粉體填充質(zhì)量增加到50%時... 

【文章來源】：化工新型材料. 2020,48(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

不同填充量CCTO和PVDF復(fù)合材料的XRD譜圖

另外，兩種復(fù)合材料的介電常數(shù)和介電損耗均隨填料含量的增加而升高[21]。Fe摻雜量從0.05升高到0.2時，介電常數(shù)出現(xiàn)先升高后降低的趨勢，當(dāng)z=0.05時，在填充量為60%時介電常數(shù)為46(100Hz），當(dāng)z增加到0.1時介電常數(shù)升高到52（填充量為60%,100Hz），其后z繼續(xù)升高，介電常數(shù)開始下降到45（填充量為60%,100Hz），相比于CCTO在相同填充量下，介電常數(shù)為48，所以摻雜Fe對復(fù)合材料的介電常數(shù)略微有增加。但從圖中可以看出摻雜Fe后介電損耗在中高頻段明顯下降。當(dāng)La單獨(dú)摻雜時，介電常數(shù)增加、介電損耗降低比較明顯，即x=0.1,y=0時，介電常數(shù)為82(60%,100Hz），介電損耗為0.15。當(dāng)Mg單獨(dú)摻雜時，即x=0,y=0.1時，介電常數(shù)為93(60%,100Hz），介電損耗為0.22。而La-Mg雙摻雜時，介電常數(shù)先增高后降低，介電損耗升高。當(dāng)x=y=0.1時，介電常數(shù)為70(60%,100Hz），介電損耗為0.15。因此，La-Mg雙摻雜有利于提高CLCMTO/PVDF復(fù)合材料的介電性能。圖5 考察Fe摻雜量或La和Mg雙摻雜量對CCTFO/PVDF或CLCMTO/PVDF復(fù)合材料電導(dǎo)率的影響

考察Fe摻雜量或La和Mg雙摻雜量對CCTFO/PVDF或CLCMTO/PVDF復(fù)合材料電導(dǎo)率的影響


本文編號：3623233