以CaCu₃Ti₄O₁₂為原料,采用溶膠-凝膠法制備CaCu₃Ti_4-3/4zFe_zO₁₂ （CCTFO）和Ca_1-3/2xLa_xCu_3-y Mg_yTi₄O₁₂（CLCMTO）前驅粉體,以聚偏氟乙烯（PVDF）為基體采用球磨共混法熱壓制備CaCu₃Ti_4-3/4zFe_zO₁₂（CCTFO）/PVDF和Ca_1-3/2xLa_xCu_3-yMg_yTi₄O₁₂（CLCMTO）/PVDF復合材料,考察摻雜量和前驅粉體填充質量對復合材料微觀結構和介電性能的影響。結果表明:當前驅粉體填充質量增加到50%時... 

【文章來源】：化工新型材料. 2020,48(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

不同填充量CCTO和PVDF復合材料的XRD譜圖

另外，兩種復合材料的介電常數(shù)和介電損耗均隨填料含量的增加而升高[21]。Fe摻雜量從0.05升高到0.2時，介電常數(shù)出現(xiàn)先升高后降低的趨勢，當z=0.05時，在填充量為60%時介電常數(shù)為46(100Hz），當z增加到0.1時介電常數(shù)升高到52（填充量為60%,100Hz），其后z繼續(xù)升高，介電常數(shù)開始下降到45（填充量為60%,100Hz），相比于CCTO在相同填充量下，介電常數(shù)為48，所以摻雜Fe對復合材料的介電常數(shù)略微有增加。但從圖中可以看出摻雜Fe后介電損耗在中高頻段明顯下降。當La單獨摻雜時，介電常數(shù)增加、介電損耗降低比較明顯，即x=0.1,y=0時，介電常數(shù)為82(60%,100Hz），介電損耗為0.15。當Mg單獨摻雜時，即x=0,y=0.1時，介電常數(shù)為93(60%,100Hz），介電損耗為0.22。而La-Mg雙摻雜時，介電常數(shù)先增高后降低，介電損耗升高。當x=y=0.1時，介電常數(shù)為70(60%,100Hz），介電損耗為0.15。因此，La-Mg雙摻雜有利于提高CLCMTO/PVDF復合材料的介電性能。圖5 考察Fe摻雜量或La和Mg雙摻雜量對CCTFO/PVDF或CLCMTO/PVDF復合材料電導率的影響

考察Fe摻雜量或La和Mg雙摻雜量對CCTFO/PVDF或CLCMTO/PVDF復合材料電導率的影響


本文編號：3623233