介電常數(shù)是材料的基本物理性能參數(shù),應(yīng)用領(lǐng)域不同,介電性能的要求也不同。電容器介質(zhì)具有高的介電常數(shù)和低的損耗;吸波材料要求具有適中的介電常數(shù)和高的損耗;而用作微波介質(zhì)時,高介材料和低介材料均有應(yīng)用,需要損耗低;透波介質(zhì)要求介電常數(shù)和損耗都低。因此,介電常數(shù)的調(diào)控對電磁功能材料意義重大。材料的介電常數(shù)一直被認為正值,負介電則被視為超常性質(zhì)。負介電常數(shù)可以出現(xiàn)在具有周期性結(jié)構(gòu)的超構(gòu)介質(zhì)中,也可以在常規(guī)材料中通過等離振蕩實現(xiàn)。其中,基于逾滲效應(yīng)的負介材料是一種導(dǎo)體-絕緣體異質(zhì)復(fù)合材料,由于物相組成多樣性,不僅為電磁性能調(diào)控提供了更大的自由度,也豐富了超材料的內(nèi)涵。因此,負介材料受到越來越多的重視。目前,關(guān)于負介材料的研究仍存在許多問題需要深入研究:在負介材料中,導(dǎo)電功能體的含量和形貌對負介性能的影響仍不明確,負介材料的微結(jié)構(gòu)特征有待揭示,從材料本征特性出發(fā)需要建立負介性能與材料學(xué)參量的聯(lián)系,負介材料產(chǎn)生負磁導(dǎo)率的機理也受到超材料領(lǐng)域的關(guān)注;亟待開發(fā)新型負介材料以滿足不同的性能要求和應(yīng)用。本文在實驗上選用了具有不同形貌的導(dǎo)電功能體構(gòu)建逾滲復(fù)合材料,并通過模型擬合、仿真計算等手段闡明了負介電行為的... 

【文章來源】：山東大學(xué)山東省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

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【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１－４三層結(jié)構(gòu)的鈦酸鋇－聚偏氟乙烯／？化硼－聚偏氟乙烯／鈦酸鋇－聚偏氟乙烯復(fù)合材料的掃??描電鏡圖和示意圖ｔ２２］??

??吸波劑的組成和微觀結(jié)構(gòu)進行設(shè)計。如圖１－５所示，利用水熱反應(yīng)法合成的具有??介孔結(jié)構(gòu)的球狀Ｎｉ／Ｃ復(fù)合粉體，控制其在吸波涂層中含量和分布，可實現(xiàn)優(yōu)異??的吸波性能［３１］。利用生物礦化法，將鎳納米顆粒均勻地分布于碳片中，具有多??級的界面結(jié)構(gòu)，當Ｎｉ／Ｃ納米吸波劑的含量為２５?％和３０?％時，阻抗匹配性能較??好，并有四個介電弛豫區(qū)使介電損耗提高，因此吸波劑具有高的吸收量，如圖??１－６所示［３２］。當吸波材料用于高溫領(lǐng)域時，由于磁響應(yīng)在高溫下消失，因此介電??性能的調(diào)控變得尤為重要。此時吸波材料的設(shè)計選用具有高溫穩(wěn)定性的碳材料和??陶瓷材料，例如碳化硅、二氧化鈦、氧化鋁等陶瓷或石墨烯、碳納米管等碳材料??當介電材料用于電磁屏蔽時，對介電性能的要求又將發(fā)生變化。電磁屏蔽??與吸波對介電性能的要求有交集

光不能在光子晶體中傳播。??光子帶隙是光子晶體最重要的特性，故可根據(jù)其空間取向的不同，將光子晶??體分為三類［５５］，有一維光子晶體、二維光子晶體和三維光子晶體，如圖１－８所示。??一維光子晶體具有最簡單的構(gòu)型，其周期性僅存在于一個維度中。一維光子晶體??（？?＜？??可用作布拉格反射器。許多光子晶體在實際應(yīng)用中只對一個方向的光子有響應(yīng)，??此時，也可簡化為一維光子晶體的模型。二維光子晶體的特征是在兩個維度上具??有周期性。三維光子晶體在三個維度上均有周期性，常見的三維光子晶體有蛋白??石結(jié)構(gòu)和反蛋白石結(jié)構(gòu)。三維光子晶體因為可以在多個維度上對性能進行調(diào)制，??設(shè)計的自由度高，因此相關(guān)研究最多。??ｐｅｒｉｏｄｉｃ?ｉｎ?ｏｎｅ?ｐｅｒｉｏｄｉｃ?ｉｎ?ｔｗｏ?ｐｅｒｉｏｄｉｃ?ｉｎ?ｔｈｒｅｅ??ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ?ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ?ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ??圖１

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3621557