隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的迅速發(fā)展以及市場對電子學(xué)器件高集成、低能耗的強(qiáng)烈需求,促使器件逐漸趨于微型化,這為功能器件的研究和制造帶來很大的困難:一方面組成其器件的基本組成單元尺寸已經(jīng)減小到相應(yīng)的物理臨界尺寸或更小,顯示出一些特異的性質(zhì),另一方面功能器件中的納米單體的操縱需要更為精細(xì)的技術(shù),因此在納米尺度對組成功能器件的納米單體的原位、實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)可視化的操作和性質(zhì)測量是目前亟待解決的問題。本論文主要圍繞多層納米線以及多層薄膜在微納尺度下磁電輸運(yùn)特性的研究展開,設(shè)計(jì)并制造了在納米尺度對其磁電輸運(yùn)性質(zhì)測量的電鏡原位磁輸運(yùn)性質(zhì)測量儀（簡稱磁輸運(yùn)儀）。主要內(nèi)容有:（1）基于掃描電鏡原位磁輸運(yùn)儀的設(shè)計(jì)與制造。磁輸運(yùn)儀主要包括:納米操縱器、局域化磁化裝置、電源控制系統(tǒng)以及測量等附屬系統(tǒng)。經(jīng)測試發(fā)現(xiàn):納米操縱器可以實(shí)現(xiàn)三維運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)精度可達(dá)到0.18 nm;局域化磁化裝置,能施加任意角度的均勻外加磁場,最大磁場可達(dá)1756 Oe;電源控制系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)-350V³50 V高壓輸出范圍內(nèi)的線性放大,具有頻率響應(yīng)范圍大,負(fù)載能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。在掃描電鏡對磁輸運(yùn)儀運(yùn)動(dòng)、磁-電輸運(yùn)測試性能等進(jìn)行測... 

【文章來源】：蘭州大學(xué)甘肅省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：128 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

鐵磁合金中的各向異性磁電阻效應(yīng)示意圖[11]

Fe/Cr超晶格中的巨磁電阻[4]

即散射是自旋相關(guān)的。如圖 1.3 所示，考慮分析簡單的鐵磁層中的磁矩對自旋方向相反的電子散射較強(qiáng)，即磁矩向上的鐵自旋向下的電子散射更強(qiáng)，電阻記為 R1；磁矩向上的鐵磁性層對自電子散射較弱，電阻記為 R2。因此，當(dāng)鐵磁性層平行且向上排列時(shí)上的電子經(jīng)過兩個(gè)鐵磁層時(shí)受到的自旋散射很小，但是自旋向下的過 時(shí) 會(huì) 受 到 很 大 的 散 射 ， 最 終 鐵 磁 層 平 行 排 列 時(shí) 總 電 阻1 2 1 2 2 R R (R R )；而當(dāng)兩個(gè)鐵磁層反平行排列時(shí)，自旋向上和向下會(huì)在其中一層受到強(qiáng)自旋散射，此時(shí)總電阻為 P 1 2R = R + R 2 。由這個(gè)電阻模型不僅可以定性的解釋巨磁電阻為負(fù)的原因，同時(shí)也指阻與散射的不對稱關(guān)系。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Pr層厚度對納米級Fe/Pr/Cu多層膜巨磁阻的影響[J]. 韓慶艷,成鋼,顧正飛.  電工材料. 2008(02)
[2]磁電子學(xué)器件應(yīng)用原理[J]. 蔡建旺.  物理學(xué)進(jìn)展. 2006(02)
[3]用壓電陶瓷實(shí)現(xiàn)精密工件臺(tái)的微定位控制[J]. 荊濤,項(xiàng)東,葉修齊,李仲俠.  長春郵電學(xué)院學(xué)報(bào). 1997(04)

博士論文
[1]電鏡原位納米磁結(jié)構(gòu)單體的磁電特性研究[D]. 張軍偉.蘭州大學(xué) 2016

碩士論文
[1]基于PA85的新型壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源[D]. 李福良.合肥工業(yè)大學(xué) 2004



本文編號：3617317