氧化鎵（Ga₂O₃）單晶納米帶由于具有獨特的性質(zhì)在電子器件中具有潛在的應(yīng)用,然而目前過小的接觸面積使得基于這種納米材料的器件制備變得非常復(fù)雜且充滿挑戰(zhàn).本文利用碳熱還原法,在無催化劑條件下使氧化鎵粉末與碳納米管在高溫下反應(yīng),生長出不同結(jié)構(gòu)的氧化鎵納米材料,發(fā)現(xiàn)了反應(yīng)溫度影響納米結(jié)構(gòu)的直徑和比例的物理機(jī)制,并制備出了長達(dá)毫米級的超寬β-Ga₂O₃單晶納米帶,其橫向尺寸可達(dá)44.3μm.利用透射電子顯微鏡（TEM）可以觀察到納米帶呈單晶結(jié)構(gòu),進(jìn)一步拉曼散射光譜（Raman）表明這種方法生長的β-Ga₂O₃納米帶的應(yīng)變較小,缺陷密度較低,且室溫光致發(fā)光譜（PL）顯示該氧化鎵納米帶在激發(fā)波長295 nm下發(fā)出425 nm的穩(wěn)定且高亮度的藍(lán)光.這種生長方法可為未來器件級氧化鎵納米帶制備提供有益的參考. 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2020,69(16)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3613739