氧化鎵（Ga₂O₃）單晶納米帶由于具有獨(dú)特的性質(zhì)在電子器件中具有潛在的應(yīng)用,然而目前過(guò)小的接觸面積使得基于這種納米材料的器件制備變得非常復(fù)雜且充滿挑戰(zhàn).本文利用碳熱還原法,在無(wú)催化劑條件下使氧化鎵粉末與碳納米管在高溫下反應(yīng),生長(zhǎng)出不同結(jié)構(gòu)的氧化鎵納米材料,發(fā)現(xiàn)了反應(yīng)溫度影響納米結(jié)構(gòu)的直徑和比例的物理機(jī)制,并制備出了長(zhǎng)達(dá)毫米級(jí)的超寬β-Ga₂O₃單晶納米帶,其橫向尺寸可達(dá)44.3μm.利用透射電子顯微鏡（TEM）可以觀察到納米帶呈單晶結(jié)構(gòu),進(jìn)一步拉曼散射光譜（Raman）表明這種方法生長(zhǎng)的β-Ga₂O₃納米帶的應(yīng)變較小,缺陷密度較低,且室溫光致發(fā)光譜（PL）顯示該氧化鎵納米帶在激發(fā)波長(zhǎng)295 nm下發(fā)出425 nm的穩(wěn)定且高亮度的藍(lán)光.這種生長(zhǎng)方法可為未來(lái)器件級(jí)氧化鎵納米帶制備提供有益的參考. 

【文章來(lái)源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(16)北大核心EISCICSCD

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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